[发明专利]集成电路装置

说明书

提供集成电路装置及其形成方法。在一些实施例中，集成电路装置包含：位于基板上方的第一多栅极主动区域、位于基板上方的第二多栅极主动区域、位于第一多栅极主动区域上方的第一栅极结构、位于第二多栅极主动区域上方的第二栅极结构、以及设置在介于第一栅极结构以及第二栅极结构之间的介电部件。介电部件包含与第一栅极结构以及第二栅极结构接触的无氧层、位于无氧层上方的氧化硅层、以及设置在介于无氧层以及氧化硅层之间的过渡层。过渡层的氧含量小于氧化硅层的氧含量。

技术领域

本公开实施例涉及集成电路装置及其形成方法，特别涉及具有介电部件的集成电路装置及其形成方法。

背景技术

集成电路(integrated circuit，IC)产业经历了指数级增长。IC材料及设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代IC都比上一代IC具有更小、且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(functional density)(亦即，每个芯片区域的互连装置的数量)通常已经增加，且同时几何尺寸(亦即，可以使用制造工艺产生的最小部件(或线))已经缩小了。这种按照比例缩小的工艺通常通过提高产品良率并降低相关成本来提供益处。

这种按照比例缩小的工艺亦增加IC工艺及制造的复杂性，且为了实现这些进步，需要在IC工艺及制造方面进行类似的发展。举例而言，传统的栅极切割(gate cut)技术受到先进IC技术节点所需的IC部件(feature)的密集包装的显著限制。特别地，栅极切割技术通常实施蚀刻工艺，前述蚀刻工艺在栅极堆叠物(其包含，例如，至少一栅极电极层及至少一栅极介电层)中形成栅极切割开口，然后以再填充介电材料(refill dielectricmaterial)填充栅极切割开口。传统上，为了防止阈值电压因氧扩散而偏移，要被填充在栅极切割开口中的再填充介电材料包含具有高介电常数的材料，从而导致高寄生电容及性能下降。因此，尽管现有的栅极切割技术与所得的栅极结构通常已经足以满足其的预期目的，但是它们在所有方面都不是完全令人满意的。

发明内容

一实施例涉及一种集成电路装置。所述集成电路装置包含：位于基板上方的第一多栅极(multi-gate)主动区域、位于基板上方的第二多栅极主动区域、位于第一多栅极主动区域上方的第一栅极结构、位于第二多栅极主动区域上方的第二栅极结构、以及设置在介于第一栅极结构及第二栅极结构之间的介电部件。介电部件包含与第一栅极结构以及第二栅极结构接触的无氧层(oxygen-free)、位于无氧层上方的氧化硅层、以及设置在介于无氧层以及氧化硅层之间的过渡层(transition layer)。其中，过渡层的氧含量(oxygencontent)小于氧化硅层的氧含量。

另一实施例涉及一种方法。所述方法包含：接收包含栅极结构的集成电路装置工作件。执行栅极切割工艺，以通过栅极切割开口使栅极结构分离为(separate)第一栅极结构以及第二栅极结构。使无氧介电层沉积在集成电路装置工作件上方，并沉积至栅极切割开口中。形成硅层于无氧介电层上方。沉积氧化硅层于硅层上方。平坦化集成电路装置工作件，以暴露第一栅极结构以及第二栅极结构。

又另一实施例涉及一种方法。所述方法包含：接收包含金属栅极结构的集成电路装置工作件。执行栅极切割工艺，以形成栅极切割开口，来使栅极结构分离为第一金属栅极结构以及第二金属栅极结构。顺应性地沉积氮化硅层于栅极切割开口的侧壁与底表面上方。顺应性地形成硅层于氮化硅层上方。沉积氧化硅层于硅层上方，以填充栅极切割开口。平坦化集成电路装置工作件，以使氧化硅层的顶表面与金属栅极结构的顶表面实质上等高(substantially level)。

附图说明

根据以下的详细说明并配合阅读附图，能够最好的理解本公开。要强调的是，根据本产业的一般作业，各种部件并未必按照比例绘制，且仅用于说明性的目的。事实上，可任意地增加或减少各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1是根据本公开的各个实施方式的用于制造集成电路装置的方法的流程图。