[发明专利]发光器件、显示基板在审
| 申请号： | 202011112314.2 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112234150A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 孙海雁;张晓晋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 显示 | ||
1.一种发光器件，其特征在于，包括阴极、阳极，以及设于阴极和阳极间的第一发光层、第二发光层，所述第一发光层位于第二发光层靠近阳极一侧；其中，
所述第一发光层包括第一主体材料和第一客体材料，所述第一主体材料的空穴迁移率高于电子迁移率；
所述第二发光层包括第二主体材料和第二客体材料，所述第二主体材料的空穴迁移率高于电子迁移率；
S1(h1)S1(g1)，T1(h1)T1(g1)，S1(g1)-T1(g1)≤0.1eV；
S1(h2)S1(g2)，T1(h2)T1(g2)，S1(g2)-T1(g2)≤0.1eV；
S1(h1)≥S1(h2)S1(g1)S1(g2)，T1(h1)≥T1(h2)T1(g1)T1(g2)；
其中T1表示三线态激发能量，S1表示单线态激发能量，h1表示第一主体材料，h2表示第二主体材料，g1表示第一客体材料，g2表示第二客体材料；
所述第二客体材料为热活化延迟荧光材料；
所述第一发光层的发射光谱所覆盖区域中，有至少40％的面积与第二发光层的吸收光谱所覆盖区重叠。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第二客体材料的发射光谱的半峰全宽小于或等于35nm。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述发光器件发出的光中，由所述第一客体材料发出的光的能量的占比小于20％。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一发光层中，所述第一主体材料的质量百分含量在60％至95％之间，所述第一客体材料的质量百分含量在5％至40％之间。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第二发光层中，所述第二主体材料的质量百分含量在70％至99％之间，所述第二客体材料的质量百分含量在1％至30％之间。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料、第一客体材料、第二主体材料中的至少一者为热活化延迟荧光材料。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料和第二主体材料为相同的材料。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一发光层的厚度在5nm至15nm之间。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第二发光层的厚度在1nm至20nm之间。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括以下结构的至少一种：
空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层、电子阻挡层、覆盖层、封装层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
