[发明专利]发光器件、显示基板

说明书

本发明实施例提供一种发光器件、显示基板，属于有机发光二极管技术领域。本发明实施例的发光器件的第一发光层包括第一主体材料和第一客体材料；第二发光层包括第二主体材料和第二客体材料；S1(h1)S1(g1)，T1(h1)T1(g1)，S1(g1)‑T1(g1)≤0.1eV；S1(h2)S1(g2)，T1(h2)T1(g2)，S1(g2)‑T1(g2)≤0.1eV；S1(h1)≥S1(h2)S1(g1)S1(g2)，T1(h1)≥T1(h2)T1(g1)T1(g2)；第二客体材料为TADF材料；第一发光层的发射光谱所覆盖区域中，有至少40％的面积与第二发光层的吸收光谱所覆盖区重叠。

技术领域

本发明实施例属于有机发光二极管技术领域，具体涉及一种发光器件、显示基板。

背景技术

有机发光二极管(OLED)发光器件因具有主动发光、响应速度快、能量利用率高、寿命长、易实现柔性等优点，在显示等领域获得了广泛应用。

有机发光二极管的发光材料主要包括磷光材料和荧光材料，基于发光原理限制，常规荧光材料的发光效率比磷光材料的发光效率低，故其应用受到了很大限制。而热活化延迟荧光(TADF)材料允许通过反向系统间交叉(RISC)将非辐射三线态激发态转换为辐射单线态，从而其理论上可实现100％的内部量子效率(IQE)；而且，TADF材料通常不含重金属，不会引起污染，故具有广泛的应用前景。

但是，TADF材料在有机发光二极管中的实际应用仍存在一些问题，如双注入特性良好的主体材料开发困难、主体材料与激子阻挡层的匹配不佳、易产生载流子不平衡导致发光效率降低、易产生界面激子堆积造成性能劣化等。

发明内容

本发明实施例至少部分解决现有采用TADF材料的有机发光二极管主体材料开发困难、效率不高、性能劣化的问题，提供一种效率高、发光光谱窄、材料易得的发光器件、显示基板。

第一方面，本发明实施例提供一种发光器件，其包括阴极、阳极，以及设于阴极和阳极间的第一发光层、第二发光层，所述第一发光层位于第二发光层靠近阳极一侧；其中，

所述第一发光层包括第一主体材料和第一客体材料，所述第一主体材料的空穴迁移率高于电子迁移率；

所述第二发光层包括第二主体材料和第二客体材料，所述第二主体材料的空穴迁移率高于电子迁移率；

S1(h1)S1(g1)，T1(h1)T1(g1)，S1(g1)-T1(g1)≤0.1eV；

S1(h2)S1(g2)，T1(h2)T1(g2)，S1(g2)-T1(g2)≤0.1eV；

S1(h1)≥S1(h2)S1(g1)S1(g2)，T1(h1)≥T1(h2)T1(g1)T1(g2)；

其中T1表示三线态激发能量，S1表示单线态激发能量，h1表示第一主体材料，h2表示第二主体材料，g1表示第一客体材料，g2表示第二客体材料；

所述第二客体材料为热活化延迟荧光材料；

所述第一发光层的发射光谱所覆盖区域中，有至少40％的面积与第二发光层的吸收光谱所覆盖区重叠。

可选的，所述第二客体材料的发射光谱的半峰全宽小于或等于35nm。

可选的，所述发光器件发出的光中，由所述第一客体材料发出的光的能量的占比小于20％。

可选的，所述第一发光层中，所述第一主体材料的质量百分含量在60％至95％之间，所述第一客体材料的质量百分含量在5％至40％之间；

可选的，所述第二发光层中，所述第二主体材料的质量百分含量在70％至99％之间，所述第二客体材料的质量百分含量在1％至30％之间。