[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一金属栅结构，所述第二晶体管包括第二金属栅结构，所述第一金属栅结构和所述第二金属栅结构之间形成有第一介质层；

在所述第一金属栅结构、所述第二金属栅结构及所述第一介质层的表面形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层，形成开口，所述开口暴露所述第一介质层的表面、所述第一金属栅结构和所述第二金属栅结构的部分表面；

在所述开口中形成金属连接层，所述金属连接层连接所述第一金属栅结构和所述第二金属栅结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述衬底的工艺包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管共用一伪栅结构；

刻蚀所述伪栅结构，形成相互不连接的第一伪栅结构和第二伪栅结构；

在所述第一伪栅结构和所述第二伪栅结构之间形成第一介质层，且所述第一介质层的表面和所述第一伪栅结构、所述第二伪栅结构的顶面共面；

去除所述第一伪栅结构和所述第二伪栅结构，并在相应位置分别形成第一金属栅结构和第二金属栅结构。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述衬底的工艺包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管共用一金属栅结构；

刻蚀所述金属栅结构，形成相互不连接的第一金属栅结构和第二金属栅结构；

在所述第一金属栅结构和第二金属栅结构之间形成第一介质层，且所述第一介质层的表面和所述第一金属栅结构、第二金属栅结构的顶面共面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属栅结构包括第一栅介电层，所述第二金属栅结构包括第二栅介电层，所述第一栅介电层和所述第二栅介电层的厚度不同，所述第一栅介电层和所述第二栅介电层的表面包括金属栅。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属栅和所述金属连接层的材料包括钨、镍或钛中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层为叠层结构，其中最底层的介质层与所述第一介质层的材料不同。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层和所述第一介质层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一晶体管为下拉晶体管，所述第二晶体管为读下拉晶体管。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括第一金属栅结构；

第二晶体管，所述第二晶体管与所述第一晶体管相邻，所述第二晶体管包括第二金属栅结构；

第一介质层，位于所述第一金属栅结构和所述第二金属栅结构之间，且与所述第一金属栅结构、所述第二金属栅结构的顶面共面；

金属连接层，位于所述第一介质层的表面和所述第一金属栅结构、所述第二金属栅结构的部分表面，且连接所述第一金属栅结构和所述第二金属栅结构。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属栅结构包括第一栅介电层，所述第二金属栅结构包括第二栅介电层，所述第一栅介电层和所述第二栅介电层的厚度不同，所述第一栅介电层和所述第二栅介电层的表面包括金属栅。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述金属连接层和所述金属栅的材料包括钨、镍或钛中的至少一种。