[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

一、在衬底上形成外延层；

二、采用蒸镀或溅射的方法在外延层上形成电流扩展条，所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层，其中，所述底层由ITO制成，所述反射层由Ag制成，所述第一保护层由TiW制成，所述第二保护层由Pt制成，所述打线层由Au制成；

三、采用蒸镀或溅射的方法形成金属叠层结构，其中，沉积在外延层上的金属叠层结构为焊盘，用于封装打线，沉积在电流扩展条连接段上的金属叠层结构为连接层，用于连接焊盘和电流扩展条，所述焊盘和连接层同时形成，结构相同并为整体结构。

2.如权利要求1所述的高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤(二)中，在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入In₂O₃和SnO₂，在外延层上形成底层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Ag，在底层上形成反射层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Ti和W，在反射层上形成第一保护层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Pt，在第一保护层上形成第二保护层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Au，在第二保护层上形成打线层。

3.如权利要求2所述的高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述底层的厚度为15～300nm，所述反射层的厚度为100～300nm，所述第一保护层的厚度为150～300nm，所述第二保护层的厚度为50～100nm，所述打线层的厚度为300～3000nm。

4.如权利要求3所述的高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述电流扩展条的宽度小于3μm。

5.如权利要求1所述的高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述电流扩展条连接段的长度为电流扩展条总长度的5％～10％。

6.如权利要求1所述的高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述电流扩展条的反射率为100％。

7.如权利要求1所述的高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金属叠层结构包括Cr层、设于Cr层上的Al层、设于Al层上的Ti层、设于Ti层上的Pt层、以及设于Pt层上的Au层；

所述Cr层的厚度为Al层的厚度为Ti层的厚度为Pt层的厚度为Au层的厚度为

8.如权利要求4所述的高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤(三)中，在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Cr，在外延层和电流扩展条的连接段上形成Cr层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Al，在Cr层上形成Al层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Ti，在Al层上形成Ti层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Pt，在Ti层上形成Pt层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Au，在Pt层上形成Au层。

9.如权利要求1所述的高亮度LED芯片的制作方法，其特征在于，所述外延层包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的透明导电层，所述电流扩展条的底层设于透明导电层上，两者的材料一致。

10.一种高亮度LED芯片，其特征在于，其采用权利要求1～9中任一项的制作方法所制得，包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极结构，其中，所述电极结构包括电流扩展条、焊盘和连接层，所述电流扩展条和焊盘设于外延层上，所述连接层设于电流扩展条连接段上并与焊盘连接，所述焊盘和连接层的结构相同并同时形成。