[发明专利]一种高亮度LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制作方法，所述制作方法包括：一、在衬底上形成外延层；二、采用蒸镀或溅射的方法在外延层上形成电流扩展条，所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层；三、采用蒸镀或溅射的方法形成金属叠层结构，其中，沉积在外延层上的金属叠层结构为焊盘，用于封装打线，沉积在电流扩展条连接段上的金属叠层结构为连接层，用于连接焊盘和电流扩展条，所述焊盘和连接层同时形成，结构相同并为整体结构。本发明采用高强度的焊盘和连接层、以及高反射率的电流扩展条相结合来组成电极结构，发挥两者的优点，既可以提高芯片的亮度和电流扩展性，又不影响封装打线。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高亮度LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。传统LED芯片的电极包括N型电极和P型电极，N/P型电极包括电极焊盘和电流扩展条(finger)，其中，电极焊盘和电流扩展条的结构相同，包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，两者沉积的金属形同，制作方法相同，两者为同时形成。由于现有P型电极的电流扩展条的底层为Cr层，而Cr金属会对LED芯片所发出的光进行吸收，导致亮度损失。随着Cr层厚度增加，Cr层吸光越严重，P型电极的电流扩展条对LED芯片所发出的光进行反射的强度越差。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种高亮度LED芯片及其制作方法，亮度高，电流扩展性好，良率高。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种高亮度LED芯片的制作方法，包括：

一、在衬底上形成外延层；

二、采用蒸镀或溅射的方法在外延层上形成电流扩展条，所述电流扩展条包括依次设置的底层、反射层、第一保护层、第二保护层和打线层，其中，所述底层由ITO制成，所述反射层由Ag制成，所述第一保护层由TiW制成，所述第二保护层由Pt制成，所述打线层由Au制成；

三、采用蒸镀或溅射的方法形成金属叠层结构，其中，沉积在外延层上的金属叠层结构为焊盘，用于封装打线，沉积在电流扩展条连接段上的金属叠层结构为连接层，用于连接焊盘和电流扩展条，所述焊盘和连接层同时形成，结构相同并为整体结构。

作为上述方案的改进，步骤(二)中，在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入In₂O₃和SnO₂，在外延层上形成底层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Ag，在底层上形成反射层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Ti和W，在反射层上形成第一保护层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Pt，在第一保护层上形成第二保护层；

在温度为25～65℃，压力为10～60torr、镀率为3～10埃/秒的条件下，通入Au，在第二保护层上形成打线层。

作为上述方案的改进，所述底层的厚度为15～300nm，所述反射层的厚度为100～300nm，所述第一保护层的厚度为150～300nm，所述第二保护层的厚度为50～100nm，所述打线层的厚度为300～3000nm。

作为上述方案的改进，所述电流扩展条的宽度小于3μm。

作为上述方案的改进，所述电流扩展条连接段的长度为电流扩展条总长度的5％～10％。