[发明专利]光电子组件

权利要求书

1.一种包括层结构（2）的光电子组件，所述层结构（2）包括用于产生电磁辐射的有源区（9），其中所述有源区（9）被布置在平面中，其中所述层结构（2）包括顶侧（7）和四个侧面（3、4、5、6），其中第一侧面（3）和第三侧面（5）彼此相对地布置，其中第二侧面（4）和第四侧面（6）彼此相对地布置，其中条形的脊结构（8）被布置在所述层结构（2）的所述顶侧（7）上，其中所述脊结构（8）在所述第一侧面（3）和所述第三侧面（5）之间延伸，其中所述第一侧面（3）构成用于电磁辐射的发射面，其中第一凹陷（11）在所述脊结构（8）旁边侧向地被引入到所述层结构（2）的所述顶侧（7）中，其中第二凹陷（12）被引入到所述第一凹陷（11）中，并且其中所述第二凹陷（12）一直延伸到所述第二侧面（4、50、51），其中所述第一凹陷（11）在所述光电子组件的整个长度上从所述第一侧面（3）沿所述第二侧面（4）一直延伸到所述第三侧面（5），其中在所述第一凹陷（11）的区域中，所述第二侧面（4）包括侧向凹陷的壁面（50、51），其中所述第二凹陷（12）侧向地被引入到所述第一凹陷（11）中并且侧向地被引入到所述第二侧面（4）的凹陷的壁面（50、51）中，其中所述第二凹陷（12）被引入到所述层结构（2）的所述顶侧（7）中，其中所述第二凹陷（12）沿着所述第二侧面（4、50、51）延伸，其中所述第二凹陷（12）被配置为与所述第一侧面（3）存在距离并且与所述第三侧面（5）存在距离。

2.根据权利要求1所述的组件，其中其他凹陷（31）被引入到所述第一侧面（3）中并且被引入到所述层结构（2）的所述顶侧（7）中，其中所述其他凹陷（31）布置在所述脊结构（8）与所述第二侧面的凹陷的壁面（51）之间。

3.根据权利要求2所述的组件，其中所述其他凹陷（31）包括底面（32），其中所述底面（32）布置在所述顶侧（7）与所述第二凹陷（12）的第二底面（14）的高度之间。

4.根据权利要求2或3所述的组件，其中第二其他凹陷（31）被引入到所述第三侧面（5）中并且被引入到所述层结构（2）的所述顶侧（7）中，其中所述其他凹陷（31）布置在所述脊结构（8）与所述凹陷的壁面（50）之间。

5.根据权利要求4所述的组件，其中所述第二其他凹陷（31）包括底面（32），其中所述底面（32）布置在所述层结构（2）的所述顶侧（7）与所述第二凹陷（12）的第二底面（14）的高度之间。

6.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二凹陷（12）的第二底面布置在与所述第一凹陷（11）的第一底面（13）相同的高度上。

7.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二凹陷（12）在第二侧面（4）的纵向侧的1%到99%的范围上延伸。

8.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二凹陷（12）相对于所述顶侧（7）而言具有在0.5 µm至50 µm之间的范围内的深度（48）。

9.根据权利要求8所述的组件，其中所述第二凹陷（12）相对于所述顶侧（7）而言具有在2 µm至6 µm之间的范围内的深度（48）。

10.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二侧面（4）和所述第四侧面（6）被配置在关于中心面（37）的两侧上，和/或其中被布置在相对于所述脊结构（8）而言的对侧上的所述顶侧（7）关于所述中心面（37）配置。

11.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二凹陷（12）相对于所述顶侧（7）而言具有在1 µm至10 µm之间的范围内的深度（48）。

12.根据权利要求1所述的组件，其中所述第二侧面（4）和所述第四侧面（6）被配置为在两侧关于中心面（37）镜像对称，并且其中被布置在相对于所述脊结构（8）而言的对侧上的所述顶侧（7）被配置为关于所述中心面（37）镜像对称。