[发明专利]光电子组件

说明书

包括层结构的光电子组件，层结构包括有源区，有源区布置在平面中，层结构包括顶侧和四个侧面，第一侧面和第三侧面彼此相对，第二侧面和第四侧面彼此相对，脊结构布置在层结构的顶侧上并且在第一侧面和第三侧面之间延伸，第一凹陷在脊结构旁边侧向地被引入到层结构的顶侧中，第一凹陷在光电子组件的整个长度上从第一侧面沿第二侧面一直延伸到第三侧面，在第一凹陷的区域中第二侧面包括侧向凹陷的壁面，第二凹陷侧向地被引入到第一凹陷中并且侧向地被引入到第二侧面的凹陷的壁面中，第二凹陷被引入到层结构的顶侧中，第二凹陷沿着第二侧面延伸，第二凹陷与第一侧面存在距离并且与第三侧面存在距离。

技术领域

本发明涉及根据专利权利要求1所述的光电子组件。

背景技术

本专利申请要求德国专利申请DE 10 2015 116 712.3的优先权，其公开内容在此通过引用的方式并入。

在现有技术中，从US2009/0137098 A1或从US 7 724 793 B2中已知例如以激光二极管的形式的光电子组件，该光电子组件包括层结构，该层结构包括用于产生电磁辐射的有源区。层结构上布置有脊结构，所述脊结构被布置在两个侧面之间，这两个侧面彼此平行地被布置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改进的光电子组件。本发明的目的通过根据权利要求1所述的组件得以实现。

其他有利的实施方式在从属权利要求中被说明。

提供一种包括层结构的光电子组件，该层结构包括用于产生电磁辐射的有源区，其中层结构包括顶侧和四个侧面，其中条形的脊结构被布置在层结构的顶侧上，其中脊结构在第一侧面和第三侧面之间延伸，其中第一侧面构成用于电磁辐射的发射面，其中第一凹陷在脊结构旁边侧向地被引入到层结构的顶侧中，其中第二凹陷被引入到第一凹陷中，并且其中第二凹陷一直延伸到第二侧面。由此在很大程度上避免在第一和/或第三侧面断裂的情况下的位错形成。此外，在p向下安装（p-down mounting）的情况下，流经侧面的漏电流被减小。

在一种实施方式中，第一凹陷被引入到第一侧面和/或第三侧面中，其中第二凹陷被引入到第一侧面和/或第三侧面中。由于第一和/或第三凹陷在第一和/或第三侧面的区域中的布置，可以实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。

在一种实施方式中，至少一个第三凹陷在脊结构旁边侧向地被引入到第一凹陷的底面中。由此可以实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。

在一种实施方式中，第三凹陷被引入到第一和/或第三侧面中。由此实现在第一和/或第三侧面断裂的情况下进一步减少位错形成。

在一种实施方式中，第三凹陷与第二侧面大体上平行地布置，其中第三凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。

在一种实施方式中，第一凹陷沿第二侧面的纵向延伸，并且其中第一凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。

在一种实施方式中，第一凹陷经第二侧面的纵侧的1%至99%的范围延伸。通过这种方式，在p向下安装的情况下，实现对流经第二侧面的漏电流的进一步减小。

在一种实施方式中，第二凹陷沿第二侧面的纵向延伸，并且其中第二凹陷以与第一侧面间隔开并且与第三侧面间隔开的方式被布置。

在一种实施方式中，第二凹陷经第一侧面的纵侧的1%至99%的范围延伸，尤其是50%至95%的范围延伸。通过这种方式，在p向下安装的情况下，实现对流经第二侧面的漏电流的进一步减小。

在一种实施方式中，第二凹陷相对于第一凹陷的底面而言具有比第三凹陷更大的深度。