[发明专利]堆叠结构及其制造方法

权利要求书

1.一种堆叠结构，其包括：

聚合物层；以及

金属层，其安置在所述聚合物层上；

其中所述聚合物层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约150μm，且所述金属层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约7μm。

2.根据权利要求1所述的堆叠结构，其中所述聚合物层包含液晶聚合物。

3.根据权利要求1所述的堆叠结构，其中所述金属层包含钢。

4.根据权利要求1所述的堆叠结构，其进一步包括：

衬底；

第一粘性层，其安置在所述衬底上，其中所述聚合物层经由所述第一粘性层附着到所述衬底；以及

第二粘性层，其将所述聚合物层与所述金属层接合在一起。

5.根据权利要求1所述的堆叠结构，其进一步包括电连接到所述衬底的至少一个半导体芯片，其中所述第一粘性层、所述聚合物层和所述第二粘性层共同界定空腔，且所述半导体芯片容纳于所述空腔中。

6.根据权利要求5所述的堆叠结构，其中所述至少一个半导体芯片包含专用集成电路ASIC芯片和微机电系统MEMS芯片。

7.根据权利要求5所述的堆叠结构，其中所述金属层覆盖所述空腔且界定与所述空腔连通的通孔。

8.一种堆叠结构，其包括：

聚合物层；以及

金属层，其安置在所述聚合物层上；

其中所述堆叠结构的侧面界定凹痕结构。

9.根据权利要求8所述的堆叠结构，其中所述金属层的侧面朝向所述聚合物层倾斜以界定所述凹痕结构。

10.根据权利要求8所述的堆叠结构，其中所述凹痕结构向下逐渐变窄。

11.根据权利要求8所述的堆叠结构，其中所述金属层向上逐渐变窄。

12.根据权利要求8所述的堆叠结构，其中所述聚合物层的侧面具有界定所述凹痕结构的倾斜部分。

13.根据权利要求12所述的堆叠结构，其中所述聚合物层的所述侧面进一步具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述金属层的侧面大体上共面，且所述倾斜部分连接所述第一部分和所述第二部分。

14.根据权利要求8所述的堆叠结构，其中所述凹痕结构包含第一部分和第二部分，所述凹痕结构的所述第一部分与所述金属层相对应且具有大体上一致宽度，所述凹痕结构的所述第二部分与所述聚合物层相对应且向下逐渐变窄。

15.根据权利要求8所述的堆叠结构，其中所述金属层具有大体上一致宽度，且所述聚合物层的一部分向上逐渐变窄。

16.根据权利要求8所述的堆叠结构，其中所述聚合物层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约150μm，且所述金属层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约7μm。

17.一种用于形成堆叠结构的方法，其包括：

(a)提供多层结构，其包括聚合物层和安置在所述聚合物层上的金属层；以及

(b)通过使用V形刀片和标准刀片来切穿所述多层结构。

18.根据权利要求17所述的方法，其中(b)包含：

(b1)通过使用所述标准刀片来切穿所述多层结构；以及

(b2)通过使用所述V形刀片来修整所述金属层。