[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202011118923.9 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN114447029A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 樊萌月;陈文波;杨中流;张兵;陈祯祐;赵爽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:显示区域和位于显示区域周边的外围区域,所述外围区域设置有扫描驱动电路,所述显示区域设置有多个子像素、与所述扫描驱动电路连接并沿着第一方向延伸的多个第一信号线;
所述多个子像素中的至少一个子像素包括:发光元件以及用于驱动发光元件发光的驱动电路,所述驱动电路包括多个晶体管和存储电容;
所述显示区域包括:基底以及依次设置在所述基底上的半导体层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层;
所述半导体层包括:多个晶体管的有源层;
所述第一导电层包括:多个晶体管的控制极和存储电容的第一电极;
所述第二导电层包括:所述存储电容的第二电极;
所述第三导电层包括:多个第一信号线以及多个晶体管的第一极和第二极;所述第三导电层和第一导电层之间的绝缘层设置有第一过孔,所述第一信号线接触所述第一导电层通过所述第一过孔暴露的晶体管的控制极。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示区域还包括:第四导电层,设置在所述第三导电层远离所述基底的一侧;
所述第四导电层包括:沿着垂直于第一方向的第二方向延伸的多个第二信号线;所述第四导电层和第三导电层之间的绝缘层设置有第二过孔,所述第二信号线接触所述第三导电层通过所述第二过孔暴露的晶体管的第一极或第二极。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第三导电层包括:钛、铝和钛形成的三层堆叠结构。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一信号线在所述基底上的正投影与所述第一信号线连接的晶体管的控制极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,沿着所述第一信号线的延伸方向设置有多个第一过孔,所述第一信号线在所述基底上的正投影覆盖所述第一过孔在所述基底上的正投影。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一信号线包括:扫描线,所述扫描驱动电路包括多个级联的移位寄存器单元,第i级移位寄存器单元通过所述扫描线向第i行的子像素提供扫描信号,其中,i为大于0的整数。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一信号线还包括:复位信号线;所述第i级移位寄存器单元通过所述复位信号线向第i+1行子像素提供复位信号。
8.根据权利要求6或7所述的显示基板,其特征在于,所述移位寄存器单元包括:第一晶体管至第八晶体管、第一电容和第二电容;
其中,第一晶体管的控制极与第一时钟信号端连接,第一晶体管的第一极与第一电压端连接,第一晶体管的第二极与第一控制节点连接;第二晶体管的控制极与第二控制节点连接,第二晶体管的第一极与第一时钟信号连接,第二晶体管的第二极与第一控制节点连接;第三晶体管的控制极与第一时钟信号端连接,第三晶体管的第一极与输入信号端连接,第三晶体管的第二极与第二控制节点连接;第四晶体管的控制极与第一控制节点连接,第四晶体管的第一极与第二电压端连接,第四晶体管的第二极与第五晶体管的第一极连接;第五晶体管的控制极与第二时钟信号端连接,第五晶体管的第二极与第二控制节点连接;第六晶体管的控制极与第一电压端连接,第六晶体管的第一极与第二控制节点连接,第六晶体管的第二极与第三控制节点连接;第七晶体管的控制极与第三控制节点连接,第七晶体管的第一极与输出端连接,第七晶体管的第二极与第二时钟信号端连接;第八晶体管的控制极与第一控制节点连接,第八晶体管的第一极与第二电压端连接,第八晶体管的第二极与输出端连接;
所述第一电容的第一电极与输出端连接,所述第一电容的第二电极与第三控制节点连接;所述第二电容的第一电极与第二电压端连接,所述第二电容的第二电极与第一控制节点连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的