[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202011118923.9 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN114447029A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 樊萌月;陈文波;杨中流;张兵;陈祯祐;赵爽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板包括:显示区域和位于显示区域周边的外围区域。外区区域设置有扫描驱动电路。显示区域设置有多个子像素、与扫描驱动电路连接并沿着第一方向延伸的多个第一信号线。显示区域包括:基底以及依次设置在基底上的半导体层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层。第三导电层包括:多个第一信号线以及多个晶体管的第一极和第二极。第三导电层和第一导电层之间的绝缘层设置有第一过孔,第一信号线接触第一导电层通过第一过孔暴露的晶体管的控制极。
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Device)显示基板,是一种与传统的液晶显示(LCD,Liquid Crystal Display)不同的显示基板,具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点。因此,OLED显示基板已经成为新一代显示装置的重要发展发现之一,并且受到越来越多的关注。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
一方面,本公开提供一种显示基板,包括:显示区域和位于显示区域周边的外围区域,所述外围区域设置有扫描驱动电路,所述显示区域设置有多个子像素、与所述扫描驱动电路连接并沿着第一方向延伸的多个第一信号线。多个子像素中的至少一个子像素包括:发光元件以及用于驱动发光元件发光的驱动电路,所述驱动电路包括多个晶体管和存储电容。所述显示区域包括:基底以及依次设置在所述基底上的半导体层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层。所述半导体层包括:多个晶体管的有源层;所述第一导电层包括:多个晶体管的控制极和存储电容的第一电极;所述第二导电层包括:所述存储电容的第二电极;所述第三导电层包括:多个第一信号线以及多个晶体管的第一极和第二极;所述第三导电层和第一导电层之间的绝缘层设置有第一过孔,所述第一信号线接触所述第一导电层通过所述第一过孔暴露的晶体管的控制极。
另一方面,本公开提供一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
另一方面,本公开提供一种显示基板的制备方法,用于制备如上所述的显示基板,包括:提供一基底;在显示区域,在所述基底上依次形成半导体层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层。其中,所述半导体层包括:多个晶体管的有源层;所述第一导电层包括:多个晶体管的控制极和存储电容的第一电极;所述第二导电层包括:所述存储电容的第二电极;所述第三导电层包括:多个第一信号线以及多个晶体管的第一极和第二极;所述第三导电层和第一导电层之间的绝缘层设置有第一过孔,所述第一信号线接触所述第一导电层通过所述第一过孔暴露的晶体管的控制极。
在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案,并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开至少一实施例的显示基板的结构示意图;
图2为本公开至少一实施例的扫描驱动电路的结构示意图;
图3为本公开至少一实施例的移位寄存器单元的等效电路图;
图4为图3提供的移位寄存器单元的工作时序图;
图5为本公开至少一实施例的子像素的驱动电路的等效电路图;
图6为图5提供的驱动电路的工作时序图;
图7为本公开至少一实施例的显示基板的一个子像素的俯视图;
图8为图7中Q-Q方向的剖面示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的