[发明专利]一种转移构件及其制备方法、转移头

权利要求书

1.一种转移构件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底表面设置一弹性胶层；

于所述弹性胶层上设置一掩膜版；其中，所述掩膜版包括镂空区域以及相对于所述镂空区域凸起的凸起区域，所述凸起区域与所述转移构件中凸块对应；

透过所述掩膜版的所述镂空区域对所述弹性胶层进行蚀刻，以利用所述弹性胶层形成所述转移构件中用于粘附待转移器件的所述凸块；

待蚀刻完成后，去除所述掩膜版以得到所述转移构件。

2.如权利要求1所述的转移构件的制备方法，其特征在于，所述于所述弹性胶层上设置一掩膜版的步骤，包括：

方式一：

提供一掩膜制备基板及形成于所述掩膜制备基板上的一掩膜层；

对所述掩膜层进行图案化处理形成所述掩膜版；

结合所述弹性胶层与所述掩膜版；

去除所述掩膜制备基板；

方式二：

在所述弹性胶层上设置一掩膜层；

对所述掩膜层进行图案化处理形成所述掩膜版。

3.如权利要求2所述的转移构件的制备方法，其特征在于，所述掩膜版包括掩膜基础层与掩膜牺牲层，当所述掩膜版置于所述弹性胶层上时，所述掩膜牺牲层介于所述掩膜基础层与所述弹性胶层之间。

4.如权利要求3所述的转移构件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的形成步骤，包括：

在所述掩膜制备基板上设置掩膜基础层；

在所述掩膜基础层上沉积所述掩膜牺牲层，以形成所述掩膜层。

5.如权利要求3所述的转移构件的制备方法，其特征在于，所述在所述弹性胶层上设置掩膜层包括以下方式中的任意一种：

方式一：

在掩膜基础层上设置掩膜牺牲层；

采用弹性胶层粘接所述掩膜牺牲层远离所述掩膜基础层的一面；

方式二：

在所述弹性胶层上设置掩膜牺牲层；

在所述掩膜牺牲层上设置掩膜基础层。

6.如权利要求3所述的转移构件的制备方法，其特征在于，所述掩膜基础层包括氮化镓基外延层。

7.如权利要求3所述的转移构件的制备方法，其特征在于，去除所述掩膜版的步骤，包括：

将所述弹性胶层与所述掩膜版置于目标溶液中，利用所述目标溶液腐蚀所述掩膜版的所述掩膜牺牲层；

其中，所述目标溶液对所述弹性胶层无影响或所述目标溶液与所述弹性胶层的反应速度小于所述目标溶液与所述掩膜牺牲层的反应速度。

8.如权利要求1-7任一项所述的转移构件的制备方法，其特征在于，对所述弹性胶层进行蚀刻的步骤，包括：

通过感应耦合等离子体蚀刻ICP方式采用氧气、氩气以及三氯化硼中的至少一种干法蚀刻所述弹性胶层。

9.一种转移构件，其特征在于，所述转移构件采用如权利要求1-8任一项所述的转移构件的制备方法制备得到。

10.一种转移头，其特征在于，所述转移头包括如权利要求9所述的转移构件。