[发明专利]集成电路加工设备的等离子体源总成

权利要求书

1.一种集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，包含：

等离子体出口组件，所述等离子体出口组件用于将等离子体进入反应腔体；

所述等离子体出口组件包含出口板和至少二个出口，所述出口设置于所述出口板上。

2.根据权利要求1所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，还包含：

等离子体生成器，所述等离子体生成器用以产生等离子体；

气体供应装置，所述气体供应装置通过流量质量控制器将气体从气体源引入；和/或，蒸汽发生器，所述蒸汽发生器用以将液态物质汽化成气体引入；

等离子体处理室，所述等离子体处理室连接等离子体生成器、气体供应装置和/或蒸汽发生器，在等离子体处理室内生成引入气体的等离子体。

3.根据权利要求2所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，所述等离子体处理室与所述出口通过管路连接。

4.根据权利要求2所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，所述等离子体生成器，包括：

微波生成器，所述微波生成器产生具有能量的等离子体，输入到等离子体处理室中后，与气体发生反应产生含该气体或该气体组成元素的等离子体；或者，

射频生成器，所述射频生成器生成射频电流，射频电流流过设置于所述等离子体处理室外部感应线圈，产生电磁场激发气体产生含该气体或该气体组成元素的等离子体。

5.根据权利要求1所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，所述出口数量为二，所述出口板为中心对称图形，所述出口在出口板上关于出口板的中心对称分布。

6.根据权利要求5所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，所述出口板的外廓为圆形，所述出口的形状为圆形，所述出口的内径是所述出口板的外廓直径的0.1~0.2倍，所述出口中心至所述出口板中心的距离为所述出口板的外廓直径的0.2~0.4倍。

7.根据权利要求1所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，所述出口数量大于或等于三，所述出口板为中心对称图形，其中一个出口在出口板的中心布置，其余出口在出口板上关于出口板的中心的一圆周上均匀分布。

8.根据权利要求7所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，所述出口板的外廓为圆形，所述出口的形状为圆形，所述出口的内径是所述出口板的外廓直径的0.1~0.2倍，所述其余出口的中心位于圆心为出口板圆心、半径为所述出口板的外廓直径的0.2~0.4倍的圆周上。

9.根据权利要求1所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，所述反应腔体中设有装载晶圆的平台，所述装载晶圆的平台与所述出口板相对设置。

10.根据权利要求1所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，其特征在于，所述集成电路加工设备用于多晶硅或金属或氮化硅或氮化钛或硅或氧化硅的刻蚀，或者光阻去除。