[发明专利]集成电路加工设备的等离子体源总成

说明书

本发明提供了一种集成电路加工设备的等离子体源总成，包含：等离子体出口组件，所述等离子体出口组件用于将等离子体进入反应腔体；所述等离子体出口组件包含出口板和至少二个出口，所述出口设置于所述出口板上。据此，等离子体从至少二个出口进入反应腔体，等离子体在反应腔体中的分布浓度更加均匀，从而能够进一步提升加工后轮廓尺寸的一致性。

技术领域

本发明涉及集成电路加工设备领域，特别涉及等离子体源总成。

背景技术

集成电路加工领域，在晶圆加工过程中存在多晶硅及金属刻蚀的工艺、光刻胶去除工艺等，在这些工艺中有采用反应物-等离子体（Plasma）的方式，通常称为干法刻蚀或干法去除。 现有技术中，泛林集团（Lam Research）推出的VERSYS METAL产品系列机台可以用于多晶硅、TiN金属硬掩膜、金属（如铝）等刻蚀。

随着晶圆加工的特征尺寸从微米（μm）向纳米（nm） 技术节点迈进，等离子体刻蚀对缺陷控制要求越来越严格。在后端（back end of line，BEOL）金属刻蚀领域，需要重点关注实现可重复的轮廓、临界尺寸（CD）控制、轮廓一致性、一致性控制能力等。现有技术的集成电路加工设备的设计中存在一个可能微小但是有时致命的缺陷因素：由于腔体设计的缺陷，使得等离子体主要集中于晶圆中心部分，据此，晶圆中间部分等离子体的浓度比较高，晶圆其他部分相对来说等离子体的浓度会偏低，容易导致晶圆加工的一致性（Uniformity）发生问题。而且，随着晶圆尺寸逐渐增大的趋势，由于中间部分覆盖比例相对变小，这一问题凸显出来。

现有技术中存在的问题是由于等离子体加工设备的腔体设计缺陷，导致了提供等离子体源主要集中于晶圆中心，造成等离子体在对应整个晶圆待加工区域上存在浓度差异，从而导致了加工出的轮廓一致性较差，甚至影响产品性能。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是：等离子体浓度在整个晶圆表面分布不均匀，导致轮廓一致性较差。

为了解决以上技术问题，本发明提供一种集成电路加工设备的等离子体源总成，其目的在于能够改善等离子体浓度在整个晶圆的表面浓度分布，提高浓度均匀度，改善等加工出的轮廓一致性。

为了达到上述目的，本发明提供了一种集成电路加工设备的等离子体源总成，包含：

等离子体出口组件，所述等离子体出口组件用于将等离子体进入反应腔体；

所述等离子体出口组件包含出口板和至少二个出口，所述出口设置于所述出口板上。

优选地，所述的集成电路加工设备的等离子体源总成，还包含：

等离子体生成器，所述等离子体生成器用以产生等离子体；

气体供应装置，所述气体供应装置通过流量质量控制器将气体从气体源引入；和/或，蒸汽发生器，所述蒸汽发生器用以将液态物质汽化成气体引入；

等离子体处理室，所述等离子体处理室连接等离子体生成器、气体供应装置和/或蒸汽发生器，在等离子体处理室内生成引入气体的等离子体。

优选地，所述等离子体处理室与所述出口通过管路连接。

优选地，所述等离子体生成器，包括：

微波生成器，所述微波生成器产生具有能量的等离子体，输入到等离子体处理室中后，与气体发生反应产生含该气体或该气体组成元素的等离子体；或者，

射频生成器，所述射频生成器生成射频电流，射频电流流过设置于所述等离子体处理室外部感应线圈，产生电磁场激发气体产生含该气体或该气体组成元素的等离子体。

优选地，所述出口数量为二，所述出口板为中心对称图形，所述出口在出口板上关于出口板的中心对称分布。