[发明专利]一种全彩硅基OLED结构以及制备方法

权利要求书

1.一种全彩硅基OLED结构，其特征在于，所述全彩硅基OLED结构包括：从下至上依次叠加的金属阳极层、有机功能层、金属阴极层、偏振片层、封装层和滤光片层；其中，

所述有机功能层包括：发光层，以向所述金属阴极层方向发射白光；

所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元、绿色发光单元和发光共同传输层；其中，

所述红色发光单元和所述蓝色发光单元蒸镀在同一张FMM模板上，以实现BR共用微腔，OLED结构上的其他结构膜层都蒸镀在CMM模板上；且在所述发光层中满足：d_RB-d_G＝d_EML-R+d_EML-B；其中，

d_RB为红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；

d_G为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；

d_EML-R为红色发光单元的厚度；

d_EML-B为蓝色发光单元的厚度。

2.根据权利要求1所述的全彩硅基OLED结构，其特征在于，所述红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度满足以下关系：

d_EML-R+d_EML-B＝70N；其中，

N为正整数，所述厚度的单位为：纳米。

3.根据权利要求2所述的全彩硅基OLED结构，其特征在于，

所述红色发光单元的厚度d_EML-R的范围是35-45nm；

所述蓝色发光单元的厚度d_EML-B的范围是25-35nm。

4.根据权利要求1所述的全彩硅基OLED结构，其特征在于，所述滤光片层包括：红色滤光片和蓝色滤光片，所述红色滤光片和所述蓝色滤光片分别涂覆在所述封装层上与所述红色发光单元和蓝色发光单元所对应的发光区域。

5.根据权利要求1所述的全彩硅基OLED结构，其特征在于，所述有机功能层还包括：从下到上依次排列的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。

6.一种权利要求1-5所述的全彩硅基OLED结构的制备方法；其特征在于，所述方法包括：

通过计算公式(1)分别计算出红色发光单元、蓝色发光单元以及绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；

通过计算公式(2)计算出红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度之和；其中，

所述计算公式(1)为：

其中，所述其中n为OLED器件结构中有机功能层的折射率，d_i为所述有机功能层的厚度，λ_i为OLED器件结构中微腔谐振加强波长，φ为光在OLED显示器件中金属阳极和金属阴极表面反射相移，m_i为发射模的级数，也称为微腔的阶数，为正整数，i为发光单元种类；

所述计算公式(2)为：

d_RB-d_G＝d_EML-R+d_EML-B；

其中，d_RB为红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；

d_G为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；

d_EML-R为红色发光单元的厚度；

d_EML-B为蓝色发光单元的厚度；

根据计算结果选取对应厚度的OLED结构中的各结构膜层；

对所述各结构膜层进行蒸镀操作。