[发明专利]一种全彩硅基OLED结构以及制备方法

说明书

本发明公开了一种全彩硅基OLED结构和制备方法，其中，所述全彩硅基OLED结构包括：从下至上依次叠加的金属阳极层、有机功能层、金属阴极层、封装层和滤光片层；所述有机功能层包括：发光层，以向所述金属阴极方向发射白光；所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元、绿色发光单元和发光共同传输层；所述红色发光单元和所述蓝色发光单元蒸镀在同一张FMM模板上，OLED结构上的其他结构膜层都蒸镀在CMM模板上；且在所述发光层中满足：dsubgt;RB/subgt;‑dsubgt;G/subgt;＝dsubgt;EML‑R/subgt;+dsubgt;EML‑B/subgt;。该结构克服现有技术中因RGB各自的谐振腔长不同导致的导致RGB光谱不能同时出现或者强度差异太大导致的产品的色域较低现象；以及彩色滤光片导致的光损失较大，影响产品寿命的问题。

技术领域

本发明涉及OLED技术领域，具体地，涉及一种全彩硅基OLED结构以及制备方法。

背景技术

与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。

受限于金属掩膜版的制作技术，现有的高ppi硅基OLED全彩产品大多数采用WOLED(白光OLED)加CF(彩色滤光片)技术，为了实现彩色显示，WOLED的光谱通常要包含RGB 3个peak。由于RGB三种颜色的光对应不同的厚度的光学微腔，所以目前这种单一光学厚度的顶发射结构的WOLED容易出现颜色漂移的现象。

因此，提供一种在使用过程中可以克服以上技术问题，且工艺难度低，还有助于提高产品亮度和寿命的一种全彩硅基OLED结构以及制备方法是本发明亟需解决的问题。

发明内容

针对上述技术问题，本发明的目的是克服现有技术中因RGB各自的谐振腔长不同导致的导致RGB光谱不能同时出现或者强度差异太大导致的产品的色域较低现象；以及彩色滤光片导致的光损失较大，进而使产品寿命较低的问题，从而提供一种在使用过程中可以克服以上技术问题，且工艺难度低，还有助于提高产品亮度和寿命的一种全彩硅基OLED结构以及制备方法。

为了实现上述目的，本发明提供了一种全彩硅基OLED结构，所述全彩硅基OLED结构包括：从下至上依次叠加的金属阳极层、有机功能层、金属阴极层、偏振片层、封装层和滤光片层；其中，

所述有机功能层包括：发光层，以向所述金属阴极方向发射白光；

所述发光层包括：红色发光单元、蓝色发光单元、绿色发光单元和发光共同传输层；其中，

所述红色发光单元和所述蓝色发光单元蒸镀在同一张FMM模板上，以实现BR共用微腔，OLED结构上的其他结构膜层都蒸镀在CMM模板上；且在所述发光层中满足：d_RB-d_G＝d_EML-R+d_EML-B；其中，

d_RB为红色发光单元和蓝色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；

d_G为绿色发光单元所对应的OLED结构的有机层厚度；

d_EML-R为红色发光单元的厚度；

d_EML-B为蓝色发光单元的厚度。

优选地，所述红色发光单元的厚度和蓝色发光单元的厚度满足以下关系：

d_EML-R+d_EML-B＝70N；其中，

N为正整数，所述厚度的单位为：纳米。