[发明专利]转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法有效
申请号: | 202011123961.3 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112234019B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;胡诗犇;王建太;庞超;龚岩芬;陈志涛 | 申请(专利权)人: | 广东省科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 510650 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 组件 器件 曲面 方法 | ||
1.一种转移膜,其特征在于,包括基底层、吸水层和拾取层,所述吸水层的一侧与所述基底层连接,另一侧和所述拾取层连接,所述基底层用于在所述吸水层吸水后与所述吸水层分离;所述拾取层用于拾取微器件,并用于将所述微器件转移至待转移基底上;
所述基底层包括第一基底和设于所述第一基底上的第一黏附层,所述第一黏附层与所述吸水层连接,所述第一黏附层用于在所述吸水层吸水后与所述吸水层分离;
所述第一黏附层靠近所述吸水层的一侧设有分离孔。
2.根据权利要求1所述的转移膜,其特征在于,所述拾取层远离所述吸水层的一侧设有保护层。
3.根据权利要求1所述的转移膜,其特征在于,所述拾取层采用第二黏附层,所述第二黏附层以粘接方式拾取所述微器件。
4.一种转移组件,其特征在于,包括待转移基底和权利要求1至3中任一项所述的转移膜,所述待转移基底设于所述拾取层远离所述吸水层的一侧,所述待转移基底用于承接所述拾取层上的所述微器件。
5.根据权利要求4所述的转移组件,其特征在于,所述待转移基底包括曲面衬底和第三黏附层,所述第三黏附层设于所述曲面衬底上,所述第三黏附层用于承接所述拾取层上的所述微器件。
6.一种微器件曲面转移方法,其特征在于,转移膜包括依次设置的基底层、吸水层和拾取层,所述基底层包括第一基底和设于所述第一基底上的第一黏附层,所述第一黏附层与所述吸水层连接,所述第一黏附层靠近所述吸水层的一侧设有分离孔;所述微器件曲面转移方法包括:
所述拾取层拾取微器件;
所述转移膜和所述微器件共同浸入水中;所述吸水层吸水,以使所述吸水层和所述第一黏附层分离;
取出所述基底层,以使所述吸水层、所述拾取层和所述拾取层上的微器件浮在水面;
将曲面基底浸于水中,且设于所述微器件远离拾取层的一侧,以使所述微器件附着于所述曲面基底上;
将所述曲面基底、所述微器件、所述拾取层和所述吸水层共同移出水面;
去除所述拾取层和所述吸水层。
7.根据权利要求6所述的微器件曲面转移方法,其特征在于,所述基底层包括第一基底和设于所述第一基底上的第一黏附层,所述第一黏附层靠近所述吸水层的一侧设有分离孔;
所述吸水层吸水,以使所述吸水层和所述基底层分离的步骤中:
所述吸水层吸水,以使水渗入所述分离孔,所述第一黏附层的粘性降低,所述吸水层与所述第一黏附层分离。
8.根据权利要求6所述的微器件曲面转移方法,其特征在于,将所述曲面基底、所述微器件、所述拾取层和所述吸水层共同移出水面的步骤后,还包括:
烘干所述曲面基底、所述微器件、所述拾取层和所述吸水层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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