[发明专利]转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法

说明书

本发明的实施例提供了一种转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法，涉及微器件转移领域。该转移膜包括基底层、吸水层和拾取层，吸水层的一侧与基底层连接，另一侧和拾取层连接，基底层用于在吸水层吸水后与吸水层分离；拾取层用于拾取微器件，并用于将微器件转移至待转移基底上。该转移膜能完成微器件的转移，既适用于微器件从平面基底到平面基底的转移，也适用于平面基底到曲面基底的转移，转移方法简单，效率高。

技术领域

本发明涉及微器件转移技术领域，具体而言，涉及一种转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法。

背景技术

电子设备通常是按照平面布局制造的，但许多新兴应用中，比如从光电子到可穿戴设备，都需要三维曲面结构。由于缺乏有效的制造技术，在曲面上制造电子器件非常具有挑战性。

现有技术中，利用软性转印头的形变特性，可初步实现从平面到曲面的微器件转印，但转印过程取决于转印头自身的形变，可控性不高，容易造成转印过程中器件因应力的损伤。因此，有必要研发一种针对曲面结构的微器件转移技术，将微器件转印到曲面上。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种转移膜、转移组件和微器件曲面转移方法，其能够实现微器件从平面基底转移至平面基底，也可以实现微器件从平面基底转移至曲面基底，转移效率高，可操作性强。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明实施例提供一种转移膜，包括基底层、吸水层和拾取层，所述吸水层的一侧与所述基底层连接，另一侧和所述拾取层连接，所述基底层用于在所述吸水层吸水后与所述吸水层分离；所述拾取层用于拾取微器件，并用于将所述微器件转移至待转移基底上。

在可选的实施方式中，所述基底层包括第一基底和设于所述第一基底上的第一黏附层，所述第一黏附层与所述吸水层连接，所述第一黏附层用于在所述吸水层吸水后与所述吸水层分离。

在可选的实施方式中，所述第一黏附层靠近所述吸水层的一侧设有分离孔。

在可选的实施方式中，所述拾取层远离所述吸水层的一侧设有保护层。

在可选的实施方式中，所述拾取层采用第二黏附层，所述第二黏附层以粘接方式拾取所述微器件。

第二方面，本发明实施例提供一种转移组件，包括待转移基底和前述实施方式中任一项所述的转移膜，所述转移膜包括基底层、吸水层和拾取层，所述吸水层的一侧与所述基底层连接，另一侧和所述拾取层连接，所述基底层用于在所述吸水层吸水后与所述吸水层分离；所述拾取层用于拾取微器件，并用于将所述微器件转移至待转移基底上；

所述待转移基底设于所述拾取层远离所述吸水层的一侧，所述待转移基底用于承接所述拾取层上的所述微器件。

在可选的实施方式中，所述待转移基底包括曲面衬底和第三黏附层，所述第三黏附层设于所述曲面衬底上，所述第三黏附层用于承接所述拾取层上的所述微器件。

第三方面，本发明实施例提供一种微器件曲面转移方法，转移膜包括依次设置的基底层、吸水层和拾取层；所述微器件曲面转移方法包括：

所述拾取层拾取微器件；

所述转移膜和所述微器件共同浸入水中；所述吸水层吸水，以使所述吸水层和所述基底层分离；

取出所述基底层，以使所述吸水层、所述拾取层和所述拾取层上的微器件浮在水面；

将曲面基底浸于水中，且设于所述微器件远离拾取层的一侧，以使所述微器件附着于所述曲面基底上；

将所述曲面基底、所述微器件、所述拾取层和所述吸水层共同移出水面；

去除所述拾取层和所述吸水层。