[发明专利]一种用于双列电容器并联的低杂散电感交叉连接母排

说明书

本发明提供了一种用于双列电容器并联的低杂散电感交叉连接母排，包括：并列设置的第一母排(1)和第二母排(2)，所述第一母排(1)和第二母排(2)结构相同，均包括一个纵向板和多个横向板，所述多个横向板等间距设置，所述纵向板与所述多个横向板连接，所述多个横向板的两端分别用于与所述双列电容器(3)正、负极相连，所述纵向板与半导体器件连接；本发明设置双排母排与外界连接，与电容器的连接部交叉设置，连接部可根据电容器的位置进行形状的改变，可以使双排母排与外界T型连接，连接部可根据电容器的位置进行形状的改变，并通过设置凹槽使杂散电感减少。

技术领域

本发明涉及一种连接母排，具体讲涉及一种用于双列电容器并联的低杂散电感交叉连接母排。

背景技术

为了降低母排的杂散电感，现有的成熟技术是采用层叠母排连接电容器，以确保杂散电感较小。然而，在多个电容器组合应用的场合，使用层叠母排进行连接，带来几个明显的问题：

对多个电容器的组合精度要求较高，一般来说，较大的电容器都有数个端子，多个大电容器组合的时候，端子数量非常多。层叠母排受制造工艺限制，其端子直径不能过大，因此不宜制成长孔，这对多个电容器组合时端子的位置度要求较高；同时，因层叠母排的端子是位于同一个安装平面上，如果多个电容器组装后所有端子平面度误差较大的话，会造成层叠母排受力较大，将影响其使用寿命，严重时直接造成损坏。如果IGBT的全部端子都在同一个平面上，不论这些端子与电容器的端子平面是共面还是垂直，只要采用I型连接或者L型连接即可，然而，有时根据结构需要，就只能采用T型连接，这就需要另增加一个转接的层叠母排，这不仅使层叠母排的制造更加复杂，也增大了结构尺寸并增加了组装的工作量。

发明内容

针对现有技术，IGBT的全部端子都在同一个平面上，不论这些端子与电容器的端子平面是共面还是垂直，只要采用I型连接或者L型连接即可，然而，有时根据结构需要，就只能采用T型连接，这就需要另增加一个转接的层叠母排，这不仅使层叠母排的制造更加复杂，也增大了结构尺寸并增加了组装的工作量。本发明提出了一种用于双列电容器并联的低杂散电感交叉连接母排，包括：

并列设置的第一母排(1)和第二母排(2)；

所述第一母排(1)和第二母排(2)结构相同，均包括一个纵向板和多个横向板，所述多个横向板等间距设置，所述纵向板与所述多个横向板连接，所述多个横向板的两端分别用于与所述双列电容器(3)正、负极相连，所述纵向板与半导体器件连接。

优选的，所述第一母排(1)多与第二母排(2)的多个横向板间隔设置。

优选的，所述第一母排(1)的与第二母排(2)的横向板长度相等，左右对齐设置。

优选的，所述横向板为一字型。

优选的，所述横向板为之字形。

优选的，还包括导电连接件。

优选的，所述第一母排(1)与第二母排(2)的横向板的两端设有孔，所述第一母排(1)和第二母排(2)的孔通过导电连接件与所述双列电容器连接。

优选的，所述第一母排(1)和所述第二母排(2)的纵向板上均设有多个凹槽，所述第一母排(1)横向板设置于所述第二母排(2)的纵向板的所述凹槽处，所述第二母排(2)横向板设置于第一母排(1)的纵向板的所述凹槽处。

优选的，所述纵向板横截面为L型，L的一个顶点与横向板连接，另一个顶点所在的面与半导体器件连接。

优选的，所述第一母排(1)的纵向板和第二母排(2)的另一顶点所在面上设有多个孔，所述空的数量和位置与所述第一母排(1)和所述第二母排(2)的横向板的孔对应，所述第一母排(1)和第二母排(2)的孔通过所述导电连接件与半导体器件连接。

优选的，所述第一母排(1)和所述第二母排(2)的材质为铜材质。