[发明专利]NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法、装置及SSD设备有效

专利信息
申请号: 202011126537.4 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112230856B 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 刘晓健;王嵩 申请(专利权)人: 北京得瑞领新科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 代理人: 李丽颖
地址: 100191 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: nand 判决 参考 电平 偏移 配置 方法 装置 ssd 设备
【权利要求书】:

1.一种NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法,其特征在于,该方法包括:

预先在各数据存储块block的每个字线WL上存入预设的数据序列作为训练序列;或,预先在各数据存储块block的每个字线WL内存入预设的数据序列作为训练序列,且预先在各字线WL的每个page内存入预设的数据序列作为训练序列;或,预先选取目标block,在所述目标block上的每个或部分字线WL上存入预设的数据序列作为训练序列;

根据预设的初始参考电平偏移值配置硬判决参考电平,并基于所述硬判决参考电平对存储空间的存储数据进行读取,所述存储数据中包括有目标编码数据序列和预设的训练序列;

对所述目标编码数据序列进行译码;

若译码失败,则对读取的所述训练序列的可靠性状态参数进行统计,确定各个存储状态的参考电平的偏移方向和程度;

根据统计出的可靠性状态参数对所述初始参考电平偏移值进行调整配置,以便根据调整后的参考电平偏移值配置所述硬判决参考电平。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在根据统计出的可靠性状态参数对所述初始参考电平偏移值进行调整配置之后,所述方法还包括:

根据调整后的参考电平偏移值配置所述硬判决参考电平,并基于更新后的硬判决参考电平对存储空间的存储数据进行读取;

对当前读取的目标编码数据序列进行译码;

若译码失败,则再次对读取的训练序列的可靠性状态参数进行统计,并根据统计出的可靠性状态参数对所述初始参考电平偏移值进行调整配置,直到译码成功或参数调整次数大于预设的配置次数阈值。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述训练序列的数据长度为1024字节。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述训练序列采用离线随机生成方式得到,其比特序列映射为各个存储符号的概率相等或属于同一概率区间。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述训练序列在每个WL或page内的存储位置集中设置或分散设置。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对读取的所述训练序列的可靠性状态参数进行统计,包括:

统计整个训练序列的RBER,或者具体的RAW error数目;和/或

统计各个存储状态不同比特位的RBER,或者具体的RAW error数目。

7.一种NAND硬判决参考电平偏移值的配置装置,其特征在于,该装置包括:

处理模块,用于预先在各数据存储块block的每个字线WL上存入预设的数据序列作为训练序列;或,预先在各数据存储块block的每个字线WL内存入预设的数据序列作为训练序列,且预先在各字线WL的每个page内存入预设的数据序列作为训练序列;

所述处理模块,还用于根据预设的初始参考电平偏移值配置硬判决参考电平,并基于所述硬判决参考电平对存储空间的存储数据进行读取,所述存储数据中包括有目标编码数据序列和预设的训练序列;

译码模块,用于对所述目标编码数据序列进行译码;

统计模块,用于当所述译码模块译码失败时,对读取的所述训练序列的可靠性状态参数进行统计,确定各个存储状态的参考电平的偏移方向和程度;

所述处理模块,还用于根据统计出的可靠性状态参数对当前的参考电平偏移值进行调整配置,以便根据调整后的参考电平偏移值配置所述硬判决参考电平。

8.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述方法的步骤。

9.一种SSD设备,其特征在于,该SSD设备包括存储控制器,所述存储控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-6任一项所述方法的步骤。

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