[发明专利]NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法、装置及SSD设备

说明书

本发明实施例提供了一种NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法、装置及SSD设备，所述方法包括：根据预设的初始参考电平偏移值配置硬判决参考电平，并基于所述硬判决参考电平对存储空间的存储数据进行读取，所述存储数据中包括有目标编码数据序列和预设的训练序列；对所述目标编码数据序列进行译码；若译码失败，则对读取的所述训练序列的可靠性状态参数进行统计；根据统计出的可靠性状态参数对所述初始参考电平偏移值进行调整配置。本发明实施例提出的NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法、装置及SSD设备，能够根据存储介质的实时状态对参考电平偏移值进行相应调整，以提高数据读取可靠度。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法、装置及SSD设备。

背景技术

硬判决参考电平的设置的好坏是决定NAND可靠度的主要因素之一。实际当中，NAND各个存储状态的门限电压分布会随着PE(擦写)次数、retention和不同的WL(字线，wordline)而变化。相应地，硬判决参考电平也应当做一定的偏移来保证RBER(原始比特误码率，raw bit error rate)在可接受的范围以内。对于常规的应用场景，可以预先设定好偏移值来应对PE、retention和WL的影响。然而，对于一些特殊的应用场景，或者是对数据可靠度要求很高的情况，预先标定偏移值的方法并不能满足使用要求。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提出了一种NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法、装置及SSD设备，能够根据存储介质的实时状态对参考电平偏移值进行相应调整，以提高数据读取可靠度。

本发明的一个方面，提供了一种NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法，该方法包括：

根据预设的初始参考电平偏移值配置硬判决参考电平，并基于所述硬判决参考电平对存储空间的存储数据进行读取，所述存储数据中包括有目标编码数据序列和预设的训练序列；

对所述目标编码数据序列进行译码；

若译码失败，则对读取的所述训练序列的可靠性状态参数进行统计；

根据统计出的可靠性状态参数对所述初始参考电平偏移值进行调整配置。

可选地，在根据统计出的可靠性状态参数对所述初始参考电平偏移值进行调整配置之后，所述方法还包括：

根据调整后的参考电平偏移值配置所述硬判决参考电平，并基于更新后的硬判决参考电平对存储空间的存储数据进行读取；

对当前读取的目标编码数据序列进行译码；

若译码失败，则再次对读取的训练序列的可靠性状态参数进行统计，并根据统计出的可靠性状态参数对所述初始参考电平偏移值进行调整配置，直到译码成功或参数调整次数大于预设的配置次数阈值。

可选地，在根据预设的初始参考电平偏移值配置硬判决参考电平之前，所述方法还包括：

预先在各数据存储块block的每个字线WL上存入预设的数据序列作为训练序列；或

预先在各数据存储块block的每个字线WL内存入预设的数据序列作为训练序列，且预先在各字线WL的每个page内存入预设的数据序列作为训练序列；或

预先选取目标block，在所述目标block上的每个或部分字线WL上存入预设的数据序列作为训练序列。

可选地，所述训练序列的数据长度为1024字节。

可选地，所述训练序列采用离线随机生成方式得到，其比特序列映射为各个存储符号的概率相等或属于同一概率区间。

可选地，所述训练序列在每个WL或page内的存储位置集中设置或分散设置。