[发明专利]验证方法在审
申请号: | 202011127602.5 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112289697A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 杜红;林哲民;姚肖依;姜姝 | 申请(专利权)人: | 上海兆芯集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/02;G01R31/28 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 验证 方法 | ||
1.一种验证方法,其特征在于,包括:
对电路布局进行电压降分析而产生分析结果,其中上述电路布局包括多个电路单元,上述分析结果包括与上述多个电路单元分别对应的多个分析数值;
根据上述电路单元的每一者对应的上述分析数值,判断上述电路布局中的第一电路单元发生电压降违例的原因;以及
根据上述第一电路单元对应的上述分析数值,修正上述电路布局。
2.根据权利要求1所述的验证方法,还包括:
根据上述分析结果,将上述电路单元的每一者与对应的上述分析数值组成键值对。
3.根据权利要求1所述的验证方法,其中对应上述电路单元的每一者的上述分析数值包括X轴坐标、Y轴坐标、电路单元类型、供应电压最小阻抗路径电阻值、接地最小阻抗路径电阻值、输入脚位最大翻转密度、输出脚位总翻转密度以及电路单元总功率。
4.根据权利要求3所述的验证方法,其中根据上述第一电路单元对应的上述分析数值修正电路布局的步骤包括:
当判断为上述第一电路单元对应的上述供应电压最小阻抗路径电阻值和/或上述接地最小阻抗路径电阻值超出平均值的既定比例时,补强上述电路布局的供电网络,其中上述供应电压最小阻抗路径电阻值为供应电压供电至上述第一电路单元的最短路径的电阻值,上述接地最小阻抗路径电阻值为上述第一电路单元至接地端的最短路径的电阻值。
5.根据权利要求3所述的验证方法,其中根据上述第一电路单元对应的上述分析数值修正电路布局的步骤包括:
当判断为上述第一电路单元对应的输入脚位最大翻转密度和/或输出脚位总翻转密度超过临限值时,降低对应的上述电路单元的翻转密度,其中上述输入脚位最大翻转密度为上述第一电路单元的所有输入脚位于一秒内的最大翻转次数,上述输出脚位总翻转密度为上述第一电路单元的所有输出脚位于一秒内的翻转次数之和,其中能够通过降低上述电路单元的输入脚位最大翻转密度和/或升高该电路单元的输出脚位总翻转密度来降低对应的上述电路单元的翻转密度。
6.根据权利要求3所述的验证方法,其中根据上述第一电路单元对应的上述分析数值修正电路布局的步骤包括:
当根据上述电路单元类型而判断为上述第一电路单元的尺寸大于常规值且判断为上述第一电路单元对应的上述电路单元总功率远超过临限值时,禁用上述第一电路单元对应的上述电路单元类型。
7.根据权利要求3所述的验证方法,还包括:
以上述电路单元的每一者为中心点的既定范围,计算对应上述电路单元的每一者的上述既定范围内的单位面积功率;
计算对应上述电路单元的每一者的单位电路单元功率;以及
将上述电路单元的每一者与对应的上述单位面积功率以及对应的上述单位电路单元功率组成键值对,其中上述分析数值还包括上述单位面积功率以及上述单位电路单元功率。
8.根据权利要求7所述的验证方法,其中根据上述第一电路单元对应的上述分析数值,修正电路布局的步骤还包括:
当判断为上述第一电路单元对应的上述既定范围的上述单位面积功率超过平均值时,增加上述第一电路单元周围的电路单元之间的间距或修改电路设计以降低上述第一电路单元的翻转密度,其中能够通过降低上述第一电路单元的输入脚位最大翻转密度和/或升高该第一电路单元的输出脚位总翻转密度来降低上述第一电路单元的翻转密度,其中上述输入脚位最大翻转密度为上述第一电路单元的所有输入脚位于一秒内的最大翻转次数,上述输出脚位总翻转密度为上述第一电路单元的所有输出脚位于一秒内的翻转次数之和。
9.根据权利要求7所述的验证方法,其中根据上述第一电路单元对应的上述分析数值,修正上述电路布局的步骤还包括:
当判断为上述第一电路单元对应的上述单位电路单元功率超过平均值时,增加上述第一电路单元周围的电路单元之间的间距或修改电路设计以降低上述第一电路单元的翻转密度,其中能够通过降低上述第一电路单元的输入脚位最大翻转密度和/或升高该第一电路单元的输出脚位总翻转密度来降低上述第一电路单元的翻转密度,其中上述输入脚位最大翻转密度为上述第一电路单元的所有输入脚位于一秒内的最大翻转次数,上述输出脚位总翻转密度为上述第一电路单元的所有输出脚位于一秒内的翻转次数之和。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造