[发明专利]包括彼此镜像对称的像素的图像传感器在审
申请号: | 202011128619.2 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112786632A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 金文焕;孔珠荣;吴暎宣;崔儒贞;崔河拿 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨姗 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 彼此 对称 像素 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
多个第一像素,沿第一轴和第二轴以M×N网格布置在基板上,M和N为1或更大的整数,所述多个第一像素连接到沿所述第二轴延伸的至少一个输出线;
多个第二像素,沿所述第一轴和所述第二轴以所述M×N网格布置在所述基板上,所述多个第二像素关于所述第一轴与所述多个第一像素镜像对称,并且所述多个第二像素连接到所述至少一个输出线;
多个第一滤色器,以所述M×N网格布置在所述多个第一像素上,所述多个第一滤色器中的每一个第一滤色器具有第一颜色;以及
多个第二滤色器,以所述M×N网格布置在所述多个第二像素上,所述多个第二滤色器中的每一个第二滤色器具有第二颜色。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,
所述多个第一像素包括:
多个第一光电转换元件,以所述M×N网格布置;
多个第一传输晶体管,以所述M×N网格布置,所述多个第一传输晶体管分别与所述多个第一光电转换元件连接;以及
第一浮置扩散区,与所述多个第一传输晶体管中的至少一个第一传输晶体管连接;
第一复位晶体管,被配置为复位所述第一浮置扩散区;
第一源极跟随器晶体管,连接到所述第一浮置扩散区;以及
第一选择晶体管,与所述第一源极跟随器晶体管连接,并且所述多个第二像素包括:
多个第二光电转换元件,以所述M×N网格布置;
多个第二传输晶体管,以所述M×N网格布置,并且分别与所述多个第二光电转换元件连接;
第二浮置扩散区,与所述多个第二传输晶体管中的至少一个第二传输晶体管连接;
第二复位晶体管,被配置为复位所述第二浮置扩散区;
第二源极跟随器晶体管,与所述第二浮置扩散区连接;以及
第二选择晶体管,与所述第二源极跟随器晶体管连接。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,还包括:
与所述多个第一像素相对应的第一栅极布局图案;以及
与所述多个第二像素相对应的第二栅极布局图案,
其中,所述第一栅极布局图案和所述第二栅极布局图案关于所述第一轴镜像对称,
其中,所述第一栅极布局图案包括多个第一栅极端子,所述多个第一栅极端子连接到所述多个第一传输晶体管、所述第一复位晶体管、所述第一源极跟随器晶体管和所述第一选择晶体管,并且
其中,所述第二栅极布局图案包括多个第二栅极端子,所述多个第二栅极端子连接到所述多个第二传输晶体管、所述第二复位晶体管、所述第二源极跟随器晶体管和所述第二选择晶体管。
4.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,
所述多个第一像素还包括:
第一双转换晶体管,连接在所述第一浮置扩散区与所述第一复位晶体管之间,以及
第三浮置扩散区,通过所述第一双转换晶体管与所述第一浮置扩散区电连接,并且
所述多个第二像素还包括:
第二双转换晶体管,连接在所述第二浮置扩散区与所述第二复位晶体管之间,以及
第四浮置扩散区,通过所述第二双转换晶体管与所述第二浮置扩散区电连接。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,
所述多个第一像素和所述多个第二像素被配置为共享将所述第三浮置扩散区与所述第四浮置扩散区电连接的金属配线。
6.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,
所述多个第一传输晶体管和所述多个第二传输晶体管之中的关于所述第一轴镜像对称的一些传输晶体管被配置为接收多个第一传输门信号,
其中,所述多个第一传输晶体管和所述多个第二传输晶体管之中的关于所述第一轴镜像对称的其他传输晶体管被配置为接收多个第二传输门信号,并且
与所述多个第一传输门信号相对应的第一集成时间不同于与所述多个第二传输门信号相对应的第二集成时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的