[发明专利]包括彼此镜像对称的像素的图像传感器在审
申请号: | 202011128619.2 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112786632A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 金文焕;孔珠荣;吴暎宣;崔儒贞;崔河拿 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨姗 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 彼此 对称 像素 图像传感器 | ||
图像传感器可以包括:多个第一像素,沿第一轴和第二轴布置在基板上,多个第一像素连接到第一输出线;多个第二像素,沿第一轴和第二轴布置在基板上,多个第二像素沿第一轴与多个第一像素镜像对称,并且多个第二像素连接到第一输出线;多个第一滤色器;以及多个第二滤色器。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月4日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2019-0139549的优先权,其整个公开通过引用整体并入本文中。
技术领域
本文描述的发明构思的各种示例实施例涉及图像传感器、包括图像传感器的系统和/或操作图像传感器的方法,并且更具体地,涉及包括彼此镜像对称的像素的图像传感器。
背景技术
随着计算机产业和通信产业的发展,对各种电子设备(例如,数码相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安全相机和/或医用微型相机等)中的高性能图像传感器的需求不断增长。图像传感器可以将光学图像转换为电信号。图像传感器的像素包括光电转换元件,该光电转换元件感测从外部入射的光,并将感测到的光转换为电信号。随着图像传感器中的像素的数量逐渐增加,共享存储由光电转换元件集成的电子的浮置扩散区的像素的数量越大。
发明内容
本发明构思的各种示例实施例提供了一种包括彼此镜像对称的像素的图像传感器、包括该图像传感器的系统、和/或操作该图像传感器的方法。
根据至少一个示例实施例,图像传感器包括:多个第一像素,沿第一轴和第二轴以M×N网格布置在基板上,M和N为1或更大的整数,多个第一像素连接到沿第二轴延伸的至少一个输出线;多个第二像素,沿第一轴和第二轴以M×N网格布置在基板上,多个第二像素关于第一轴与多个第一像素镜像对称,并且多个第二像素连接到至少一个输出线;多个第一滤色器,以M×N网格布置在多个第一像素上,多个第一滤色器中的每一个具有第一颜色;以及多个第二滤色器,以M×N网格布置在多个第二像素上,多个第二滤色器中的每一个具有第二颜色。
根据至少一个示例实施例,图像传感器包括沿第一轴和第二轴重复布置的多个单位像素组。多个单位像素组中的每一个单位像素组包括:多个第一共享像素,沿第二轴以1×N网格布置,并且与沿第二轴延伸的第一输出线连接,N是2或者更大的整数;以及多个第二共享像素,沿第二轴以1×N网格布置,并且与第一输出线连接。多个第二共享像素关于第一轴与多个第一共享像素镜像对称。
根据至少一个示例实施例,图像传感器可以包括:多个第一像素,沿第一轴和第二轴以M×N网格布置在基板上,多个第一像素包括M个第一共享像素组,每一个第一共享像素组包括N个第一像素,M个第一共享像素组中的每一个第一共享像素组被配置为共享第一浮置扩散区,M个第一共享像素组中的每一个第一共享像素组与沿第二轴延伸的第一输出线连接,M为2或者更大的整数,并且N为2或者更大的整数;以及多个第二像素,沿第一轴和第二轴以M×N网格布置在基板上,多个第二像素包括M个第二共享像素组,每个第二共享像素组包括N个第二像素,M个第二共享像素组中的每一个第二共享像素组被配置为共享第二浮置扩散区,并且M个第二共享像素组中的每一个第二共享像素组与第一输出线连接。第一共享像素组中的每一个第一共享像素组关于第一轴与第二共享像素组中的对应的第二共享像素组镜像对称。
附图说明
通过参考附图详细地描述本发明构思的示例实施例,本发明构思的示例实施例的以上以及其他目的和特征将变得清楚。
图1示出了根据本发明构思的至少一个示例实施例的图像传感器的平面图。
图2是根据至少一个示例实施例的沿图1中的线I-I’截取的图像传感器的截面图。
图3示出了根据本发明构思的至少一个示例实施例的图1的单位像素组的电路图和布局。
图4示出了根据本发明构思的至少一个示例实施例的图1的单位像素组的电路图和布局。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的