[发明专利]一种硅基OLED微显示器的制备方法

权利要求书

1.一种硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述硅基OLED微显示器的制备方法包括：

将包含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干；

对所述基板进行阳极镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶后，使用第一掩膜版对所述第一特性的光刻胶进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极的图形一致的用来保护电极的第一光刻胶保护层；

对已形成第一光刻胶保护层的基板依次进行阳极工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极工艺中产生的正性光刻胶均去除，使得所述电极上存在有阳极保护层；

针对包含有阳极保护层的基板执行生产相关加工工序；

在完成生产相关加工工序后的基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在所述第二特性的光刻胶涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极的图形相反的第二光刻胶保护层后，刻蚀去除所述阳极保护层；以及

在完成去除所述阳极保护层后进行盖板玻璃的封装和电路焊接以得到所述硅基OLED微显示器。

2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述阳极工艺包括依次执行的以下工艺：阳极涂胶、曝光、显影、刻蚀。

3.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述生产相关加工工序包括依次制备的以下部件：阳极绝缘层、OLED层、阴极、薄膜封装层、平坦层和彩膜。

4.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述第一特性的光刻胶为负性光刻胶；所述第二特性的光刻胶为正性光刻胶。

5.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版相同。