[发明专利]一种硅基OLED微显示器的制备方法

说明书

本发明公开了一种硅基OLED微显示器的制备方法，包括：将包含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干；对基板进行阳极镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶后，使用第一掩膜版对第一特性的光刻胶进行曝光显影，以在基板上形成第一光刻胶保护层；对基板依次进行阳极工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极工艺中产生的正性光刻胶均去除，使得电极上存在有阳极保护层；针对包含有阳极保护层的基板执行生产相关加工工序；在基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影，刻蚀去除阳极保护层；以及在完成去除阳极保护层后，进行盖板玻璃的封装和电路焊接。本发明可以制备出电极无腐蚀现象的硅基OLED微显示器。

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件领域，具体地，涉及一种硅基OLED微显示器的制备方法。

背景技术

硅基有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)微显示器是一种将主动型发光器件OLED制作在硅基CMOS驱动电路基板上的一种新型显示技术，已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且在AR/VR市场的应用前景也极其广泛，被称为下一代显示技术的黑马。

常规的硅基OLED微显示器制备过程中，在制备阳极，阳极绝缘层，OLED蒸镀，阴极蒸镀和薄膜封装时，CMOS电路上的电极都是暴露在基板表面的，阳极、阳极绝缘层、薄膜封装层、平坦层和彩膜制作时，会多次使用显影液等碱性化剂，碱性化剂可能会腐蚀电极区金属，导致电极金属的厚度减薄太多，从而影响电极的连接性，造成电极连接不良。

发明内容

本发明的目的是提供一种硅基OLED微显示器的制备方法，该硅基OLED微显示器的制备方法可以制备出电极无腐蚀现象的硅基OLED微显示器。

为了实现上述目的，本发明提供了一种硅基OLED微显示器的制备方法，所述硅基OLED微显示器的制备方法包括：将包含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干；对所述基板进行阳极镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶后，使用第一掩膜版对所述第一特性的光刻胶进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极的图形一致的用来保护电极的第一光刻胶保护层；对已形成第一光刻胶保护层的基板依次进行阳极工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极工艺中产生的正性光刻胶均去除，使得所述电极上存在有阳极保护层；针对包含有阳极保护层的基板执行生产相关加工工序；在完成生产相关加工工序后的基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在所述第二特性的光刻胶涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影，以在所述基板上形成与电极的图形相反的第二光刻胶保护层后，刻蚀去除所述阳极保护层；以及在完成去除所述阳极保护层后，进行盖板玻璃的封装和电路焊接以得到所述硅基OLED微显示器。

优选地，所述阳极工艺包括依次执行的以下工艺：阳极涂胶、曝光、显影、刻蚀。

优选地，所述生产相关加工工序包括依次制备的以下部件：阳极绝缘层、OLED层、阴极、薄膜封装层、平坦层和彩膜。

优选地，所述第一特性的光刻胶为负性光刻胶；所述第二特性的光刻胶为正性光刻胶。

优选地，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版相同。

根据上述技术方案，本发明在微显示器制备过程中，利用设计的第一特性的光刻胶和阳极保护层把电极保护起来，使其不受生产相关加工工序和阳极工艺中的显影液等化剂的腐蚀，在生产相关加工工序中的其他层完成后，通过刻蚀的方法去除所述阳极以将电极重新暴露在基板表面，再进行电极焊接工序，整个过程防止工艺过程中的化剂对电极的腐蚀，保证电极的连接性，提高产品良率、合格率。

本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：