[发明专利]壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球、制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011132165.6 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112225251B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 徐飞;韩浩杰;杨佳迎;庄椀崎;许潇洒;王洪强 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;C01B32/05;B82Y40/00;B82Y20/00;B82Y30/00;H01M4/62;H01M10/052 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云侠 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 壳层限域五 氧化 纳米 空心 制备 方法 应用 | ||
1.一种壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将铌酸铵草酸盐、苯胺、吡咯和表面活性剂在水中混合，制备均一分散液；0℃向所述均一分散液中加入引发剂引发反应，制得中间产物；
S2、在保护气体氛围下，将S1制得的中间产物在700～900℃下进行碳化处理，制得壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球；
还可将S2制得的壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球在300～400℃下进行氧化处理；
所述壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球在锂硫电池正极载硫材料中的应用。
2.根据权利要求1所述的壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球的制备方法，其特征在于，所述氧化处理过程中，升温速率为2℃/min，恒温保持3h后，自然冷却至室温。
3.根据权利要求1所述的壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球的制备方法，其特征在于，S1中，所述引发剂为过硫酸铵，所述苯胺：吡咯：铌酸铵草酸盐：过硫酸铵的用量比为2.72mL：2.11mL：1～2g：13.72g。
4.根据权利要求1所述的壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球的制备方法，其特征在于，S1中，所述表面活性剂为Triton X-100，所述苯胺：
Triton X-100：水的用量比为8.17mL：1g：900mL。
5.根据权利要求1所述的壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球的制备方法，其特征在于，S1中，加入引发剂后，于0℃静置反应12h，反应结束后，将产物洗涤至中性，之后干燥。
6.根据权利要求1所述的壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球的制备方法，其特征在于，S2中，升温速率为5℃/min，恒温保持3h后，自然冷却至室温。
7.根据权利要求1～6任一项所述的制备方法制得的壳层限域五氧化二铌纳米晶的空心炭球，其特征在于，所述空心炭球表面为多孔壳层，所述五氧化二铌纳米晶均匀负载于空心炭球的壳层中。
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