[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202011134125.5 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112259500A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 禹靖;吴国特;李知勋;谢中静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
制备保护层;
在所述保护层上形成第一导电层,所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置的第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;
在所述第一导电层背离所述保护层的一面形成初始绝缘层;所述初始绝缘层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第二凸起结构、以及所述第二凸起结构两侧的第二水平结构;
在所述初始绝缘层背离所述第一导电层的一面上形成掩膜层;
去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构;
去除覆盖在所述第二水平结构上的掩膜层,并在所述第一凸起结构背离所述保护层的一面,以及所述第二水平结构背离所述第一导电层的一面形成第二导电层,得到所述显示面板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二水平结构的厚度小于或等于所述第一凸起结构的厚度;所述第一凸起结构的厚度为所述第一凸起结构背离所述保护层的一面至所述第一水平结构背离所述保护层的一面之间的距离。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保护层朝向所述第一导电层的一面的表面粗糙。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构的步骤之后,所述第一凸起结构背离所述保护层的一面与所述第二水平结构背离所述第一水平结构的一面齐平。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一凸起结构的截面形状包括梯形,所述梯形的底角小于60°。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述制备保护层,包括:
提供基板;
在所述基板上以涂布的方式形成初始保护层;
对所述初始保护层依次进行曝光、显影和烘干,使所述初始保护层的中间位置形成第三凸起结构,得到所述保护层;其中,所述第三凸起结构的截面形状与所述第一凸起结构的截面形状相同。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一导电层的材料包括:钛、铝或钛复合材料中的一种。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层,包括:
对所述掩膜层依次进行曝光、显影处理,去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
保护层;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述保护层上;所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一水平结构背离所述第一导电层的一侧;所述绝缘层背离所述第一导电层的一面,与所述第一凸起结构背离所述保护层的一面齐平;
第二导电层,所述第二导电层覆盖在所述绝缘层背离所述第一导电层的一面以及述第一凸起结构背离所述保护层的一面。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述保护层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第三凸起结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造