[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202011134125.5 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112259500A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 禹靖;吴国特;李知勋;谢中静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/528 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法,该方法包括:制备保护层;在保护层上形成第一导电层,第一导电层包括:第一凸起结构;在第一导电层上形成初始绝缘层;初始绝缘层包括:第二凸起结构;在初始绝缘层上形成掩膜层;去除覆盖在第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出第一凸起结构;去除掩膜层,并在第一凸起结构上形成第二导电层,得到显示面板。在本发明实施例中,通过在第一导电层的中间位置设置第一凸起结构,在去除第二凸起结构后,使第一凸起结构漏出与后续覆盖的第二导电层实现搭接,能够避免在绝缘层上先形成过孔结构再使第一导电层和第二导电层通过过孔结构搭接,出现过孔结构中导电层断线的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
显示面板中的绝缘层上通常包括过孔结构,以实现绝缘层上下的两层导电层实现搭接,现有技术通常采用在绝缘层上打孔后,然后分别在绝缘层的两侧贴合导电层,将一侧的导电层通过绝缘层上的过孔结构与另一侧导电层实现搭接。
但是,绝缘层上的过孔结构具有一定的开孔角度,目前的工艺方法无法灵活的调控过孔结构的开孔角度大小,且过孔结构的孔壁会出现毛刺等不易去除的残留物质。此外,现有技术很容易造成过孔结构的开孔角度过大,则会导致导电层在过孔结构内的部分很容易断线或者脱落,进而导致两层导电层之间出现搭接不良的问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板的制备方法,以解决现有技术制备的显示面板的过孔结构的质量较差,进而导致导电层之间出现搭接不良的问题。
本发明第一方面提供了一种显示面板的制备方法,包括:
制备保护层;
在所述保护层上形成第一导电层,所述第一导电层包括:设置在所述第一导电层中间位置的第一凸起结构、以及所述第一凸起结构两侧的第一水平结构;
在所述第一导电层背离所述保护层的一面形成初始绝缘层;所述初始绝缘层包括:与所述第一凸起结构对应设置的第二凸起结构、以及所述第二凸起结构两侧的第二水平结构;
在所述初始绝缘层背离所述第一导电层的一面上形成掩膜层;
去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构;
去除覆盖在所述第二水平结构上的掩膜层,并在所述第一凸起结构背离所述保护层的一面,以及所述第二水平结构背离所述第一导电层的一面形成第二导电层,得到所述显示面板。
可选地,所述第二水平结构的厚度小于或等于所述第一凸起结构的厚度;所述第一凸起结构的厚度为所述第一凸起结构背离所述保护层的一面至所述第一水平结构背离所述保护层的一面之间的距离。
可选地,所述保护层朝向所述第一导电层的一面的表面粗糙。
可选地,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层及第二凸起结构,裸漏出所述第一凸起结构的步骤之后,所述第一凸起结构背离所述保护层的一面与所述第二水平结构背离所述第一水平结构的一面齐平。
可选地,所述第一凸起结构的截面形状包括梯形,所述梯形的底角小于60°。
可选地,所述制备保护层,包括:
提供基板;
在所述基板上以涂布的方式形成初始保护层;
对所述初始保护层依次进行曝光、显影和烘干,使所述初始保护层的中间位置形成第三凸起结构,得到所述保护层;其中,所述第三凸起结构的截面形状与所述第一凸起结构的截面形状相同。
可选地,所述第一导电层的材料包括:钛、铝或钛复合材料中的一种。
可选地,所述去除覆盖在所述第二凸起结构处的掩膜层,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造