[发明专利]一种半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

将多个衬底置于沉积腔体中，所述腔体至少包括第一区域，第二区域和第三区域，所述第三区域位于所述腔体的顶部，所述第二区域位于所述腔体的中部，所述第一区域位于所述腔体的底部；将位于所述第一区域上的所述衬底定义为第一衬底，将位于所述第二区域上的所述衬底定义为第二衬底，将位于第三区域上的所述衬底定义为第三衬底；

形成多晶硅层于所述第一衬底，所述第二衬底和所述第三衬底上；

分别对不同区域的所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成第一多晶硅掺杂层，第二多晶硅掺杂层和第三多晶硅掺杂层；

对所述多个衬底分别退火；其中，在对所述第一多晶硅掺杂层、所述第二多晶硅掺杂层和所述第三多晶硅掺杂层分别退火时，向所述第一多晶硅掺杂层、所述第二多晶硅掺杂层和所述第三多晶硅掺杂层通入不同流量的氧气，以分别形成第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层；

其中，所述第一氧化层，所述第二氧化层和所述第三氧化层的厚度不同；

其中，向所述沉积腔体内通入硅烷，以在所述第一衬底，所述第二衬底和所述第三衬底上形成所述多晶硅层；其中，所述硅烷的浓度从所述第一区域至所述第三区域逐渐降低；

其中，在形成所述多晶硅层时，所述第一区域的温度小于所述第二区域的温度，所述第二区域的温度小于所述第三区域的温度。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度，所述第二氧化层的厚度大于所述第三氧化层的厚度。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅掺杂层在退火处理时通入所述氧气的流量大于所述第二多晶硅掺杂层在退火处理时通入所述氧气的流量。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第二多晶硅掺杂层在退火处理时通入所述氧气的流量大于所述第三多晶硅掺杂层在退火处理时通入所述氧气的流量。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度在30-100埃之间；所述第二氧化层的厚度在20-70埃之间；所述第三氧化层的厚度在10-40埃之间。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述退火中，当温度上升至200-700℃时，通入所述氧气。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅掺杂层在退火处理时通入所述氧气的流量在15-20 slm之间；所述第二多晶硅掺杂层在退火处理时通入所述氧气的流量在10-15 slm之间；所述第三多晶硅掺杂层在退火处理时通入所述氧气的流量在0.1-10 slm之间。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅掺杂层，所述第二多晶硅掺杂层和所述第三多晶硅掺杂层的退火温度在850-1100℃之间，退火时间小于60s。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，当进行掺杂处理时，掺杂剂量在10¹⁴atoms/cm²-10¹⁶ atoms/cm²之间。