[发明专利]显示面板制作方法及显示面板在审
申请号: | 202011137602.3 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112309968A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 郑智琳;唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种显示面板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一衬底基板,所述衬底基板具有显示区和边缘区;
在所述衬底基板上制作阵列层,所述阵列层包括层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上制作双层导电层,所述双层导电层包括第一导电层和叠层于所述第一导电层上的第二导电层,对应所述显示区的所述双层导电层构成源漏电极,对应所述边缘区的所述双层导电层构成原始边缘电极;
去除所述原始边缘电极中的所述第二导电层,形成边缘电极;
制作覆盖所述源漏电极和所述边缘电极的钝化层;
在所述钝化层上形成暴露所述源漏电极的第一开孔和暴露所述边缘电极的第二开孔;
在所述钝化层上制作像素定义层,所述像素定义层包括阳极,所述阳极通过所述第一开孔与所述源漏电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述第一导电层由氧化铟锡制作,所述第二导电层由铜制作。
3.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,制作所述像素定义层之前还包括:在所述钝化层上制作平坦层。
4.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述阵列层包括设置于所述衬底基板上的半导体层、设置于所述半导体层上栅极绝缘层、以及设置于所述栅极绝缘层上的栅极,所述层间绝缘层覆盖所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极,所述源漏电极通过设置于所述层间绝缘层上的开孔与所述半导体层电性连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述像素定义层还包括设置在于所述阳极上的发光功能层、及设置于所述发光功能层上的阴极。
6.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,形成所述源漏电极和所述边缘电极的方法包括:
通过气相沉积法在所述层间绝缘层上形成整面型的所述双层导电层;
通过第一道刻蚀工艺对所述双层导电层进行刻蚀,形成所述源漏电极及所述原始边缘电极;
通过第二道刻蚀工艺将所述原始边缘电极中的所述第二导电层刻蚀去除,形成所述边缘电极。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板是采用权利要求1-6中任一权利要求所述的显示面板制作方法制作而成的显示面板。
8.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,包括显示区和边缘区;
阵列层,设置于所述衬底基板上,包括层间绝缘层,对应所述显示区的所述层间绝缘层上设置有源漏电极,对应所述边缘区的所述层间绝缘层上设置有边缘电极,所述源漏电极包括第一导电层和设置于所述第一导电层上的第二导电层,所述边缘电极包括所述第一导电层;
钝化层,设置于所述阵列层上;
像素定义层,设置于钝化层上,所述像素电极层包括阳极,所述阳极通过所述钝化层上的第一开孔与所述源漏电极电性连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层为氧化铟锡层,所述第二导电层为金属铜层。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述边缘电极通过所述钝化层上的第二开孔暴露。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造