[发明专利]显示面板制作方法及显示面板在审
申请号: | 202011137602.3 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112309968A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 郑智琳;唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
本申请提供一种显示面板制作方法及显示面板,所述显示面板制作方法提出在制作显示面板的源漏电极时,首先形成覆盖显示区和边缘区的双层导电层,然后通过对双层导电层的两次连续刻蚀操作,形成具有双层导电层的源漏电极和具有单层导电层的边缘电极;所述源漏电极的双层导电层结构提高了其导电性;同时,所述显示面板制作方法将所述边缘电极的制作工艺与所述源漏电极的制作工艺结合,通过同一道沉积、刻蚀工艺同时制作所述边缘电极和所述源漏电极,省去了单独制作边缘电极的操作,简化了显示面板的制作工艺,提高了生产效率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板制作方法及显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、对比度高、宽视角等性能特点,以及可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优势,被业界认为最有发展潜力的显示器。
OLED显示面板通常具有显示区和边缘区,显示区主要用于实现显示面板的显示功能,边缘区设置有边缘电极,如绑定走线、绑定垫等,用于将显示区与外部信号元件电性接通。OLED显示面板的层状结构包括阵列基板及设置于阵列基板上的像素定义层;阵列基板中设置有薄膜晶体管器件,薄膜晶体管器件具有源漏电极;像素定义层中设置有用于实现发光功能的阳极、发光功能层和阴极。现有技术中,源漏电极采用金属铜制作,阳极采用银或银合金制作;在OLED显示面板制作过程中,设置于边缘区域的边缘电极无法与源漏电极或与阳极通过同一制程工艺制作,因为边缘电极若采用铜或银或银合金制作,则在后续制程中容易被刻蚀液腐蚀,造成边缘电极失效;因此,现有技术会采用化学性质稳定、且不易被刻蚀液腐蚀的金属或合金材料制作边缘电极,但是这样就需要增加一道单独的边缘电极沉积、光罩、刻蚀工艺,造成OLED显示面板制作工艺的复杂化,不利于降低生产成本、提高生产效率。
发明内容
基于上述现有技术中的不足,本申请提供一种显示面板制作方法及显示面板,在制作源漏电极时,形成覆盖显示区和边缘区的双层导电层,并通过对双层导电层的两次连续刻蚀操作,形成源漏电极和边缘电极,解决了现有技术中通过单独工序制作边缘电极而导致的工艺复杂化的问题。
本申请提供一种显示面板制作方法,包括以下步骤:
提供一衬底基板,所述衬底基板具有显示区和边缘区;
在所述衬底基板上制作阵列层,所述阵列层包括层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上制作双层导电层,所述双层导电层包括第一导电层和叠层于所述第一导电层上的第二导电层,对应所述显示区的所述双层导电层构成源漏电极,对应所述边缘区的所述双层导电层构成原始边缘电极;
去除所述原始边缘电极中的所述第二导电层,形成边缘电极;
制作覆盖所述源漏电极和所述边缘电极的钝化层;
在所述钝化层上形成暴露所述源漏电极的第一开孔和暴露所述边缘电极的第二开孔;
在所述钝化层上制作像素定义层,所述像素定义层包括阳极,所述阳极通过所述第一开孔与所述源漏电极电性连接。
根据本申请一实施例,所述第一导电层由氧化铟锡制作,所述第二导电层由铜制作。
根据本申请一实施例,制作所述像素定义层之前还包括:在所述钝化层上制作平坦层。
根据本申请一实施例,所述阵列层包括设置于所述衬底基板上的半导体层、设置于所述半导体层上栅极绝缘层、以及设置于所述栅极绝缘层上的栅极,所述层间绝缘层覆盖所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极,所述源漏电极通过设置于所述层间绝缘层上的开孔与所述半导体层电性连接。
根据本申请一实施例,所述像素定义层还包括设置在于所述阳极上的发光功能层、及设置于所述发光功能层上的阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造