[发明专利]显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板为顶发光型显示面板，并包括：

玻璃基板；

OLED器件层，设置于所述玻璃基板上，所述OLED器件层包括依次层叠的阳极层、有机功能层、以及阴极层；以及

玻璃盖板，设置于所述OLED器件层上；其中，

所述玻璃基板与所述阳极层之间设置有第一一维光子晶体层，所述阴极层与所述玻璃盖板之间设置有第二一维光子晶体层；

所述第一一维光子晶体层包括设置于所述玻璃基板上的多层第一晶体单元层，所述第一晶体单元层包括交替形成的第一高折射率层和第一低折射率层，第一高折射率层靠近所述玻璃基板，第一低折射率层远离所述玻璃基板，其中，所述第一高折射率层的折射率大于所述第一低折射率层的折射率；

所述第二一维光子晶体层包括设置于所述阴极层上的多层第二晶体单元层、第一中折射率层、以及多层第三晶体单元层，所述第二晶体单元层和所述第三晶体单元层均包括交替形成的第二高折射率层和第二低折射率层，其中，所述第二高折射率层靠近所述阴极层，所述第二低折射率层远离所述阴极层，所述第二高折射率层的折射率、所述第一中折射率层的折射率、以及所述第二低折射率层的折射率依次减小。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体单元层的层数不大于所述第三晶体单元层的层数。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第三晶体单元层的层数至少比所述第二晶体单元层的层数多两层。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体单元层的层数为3～10层。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一一维光子晶体层还包括设置于多层所述第一晶体单元层上的多层第四晶体单元层，以及设置于多层所述第一晶体单元层与多层所述第四晶体单元层之间的第二中折射率层，其中，所述第四晶体单元层包括交替形成的第三高折射率层和第三低折射率层，所述第三高折射率层的折射率、所述第二中折射率层的折射率、以及所述第三低折射率层的折射率依次减小。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体单元层的层数大于所述第四晶体单元层的层数。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第三高折射率层靠近所述玻璃基板，所述第三低折射率层远离所述玻璃基板。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第三低折射率层靠近所述玻璃基板，所述第三高折射率层远离所述玻璃基板。

9.一种如权利要求1～8任一权利要求所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

S10，在玻璃基板上形成第一一维光子晶体层，所述第一一维光子晶体层包括形成于所述玻璃基板上的多层第一晶体单元层，所述第一晶体单元层包括交替形成的第一高折射率层和第一低折射率层，第一高折射率层靠近所述玻璃基板，第一低折射率层远离所述玻璃基板，其中，所述第一高折射率层的折射率大于所述第一低折射率层的折射率；

S20，在所述第一一维光子晶体层上依次形成阳极层、有机功能层、以及阴极层；

S30，在所述阴极层上形成第二一维光子晶体层，所述第二一维光子晶体层包括形成于所述阴极层上的多层第二晶体单元层、第一中折射率层、以及多层第三晶体单元层，所述第二晶体单元层和所述第三晶体单元层均包括交替形成的第二高折射率层和第二低折射率层，所述第二高折射率层靠近所述阴极层，所述第二低折射率层远离所述阴极层，其中，所述第二高折射率层的折射率、所述第一中折射率层的折射率、以及所述第二低折射率层的折射率依次减小；

S40，在所述第二一维光子晶体层上形成玻璃盖板。