[发明专利]显示面板及其制备方法

说明书

一种显示面板，包括玻璃基板、OLED器件层以及玻璃盖板，玻璃基板与OLED器件的阳极层之间设置有第一一维光子晶体层，OELD器件的阴极层与玻璃盖板之间设置有第二一维光子晶体层，第一一维光子晶体层包括多层第一晶体单元层，第一晶体单元层包括第一高折射率层和第一低折射率层，第二一维光子晶体层包括多层第二晶体单元层、中折射率层、以及多层第三晶体单元层，第二晶体单元层和第三晶体单元层均包括第二高折射率层和第二低折射率层。第一一维光子晶体层采用高折射率材料与玻璃基板接触增加全反射，将光反射回顶部，提高光取出率；第二一维光子晶体层采用低折射率材料与玻璃盖板接触降低全反射，进一步提高光取出效率，同时起到阻隔水汽的作用。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示屏根据光的取出方式，可以分为底发光型(bottom emission)和顶发光型(top emission)，对于一般的OLED器件而言，均采用底发光模式，但是底发光型器件需要经过TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)阵列基板，所以发光面积受到限制，而顶发射型则不会经过TFT阵列基板，发光面积不会受限，而且开口率也不会受限，大大提高了光的取出。但是对于顶发光型器件而言，光线需要经过阴极，因此阴极的透过率对光的取出至关重要。

对于顶发光型器件结构，通常尽可能地减少阴极的厚度，提高玻璃与阴极之间的透过率，但是阴极过薄，会导致阴极面电阻过大，面板均一性差，产生明显的压降，因此如何在保证阴极厚度不影响发光均一性前提下，提高光的取出率，减少光线损失成为研究OLED器件光取出的关键技术。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有的顶发光型显示面板，由于光线需要经过阴极取出，通过尽可能地减薄阴极厚度来提高玻璃与阴极之间的透过率，但阴极过薄会导致阴极面电阻过大，进而导致面板均一性差，产生明显压降的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本申请实施例提供一种显示面板，包括：玻璃基板、设置于所述玻璃基板上的OLED器件层、以及设置于所述OLED器件层上的玻璃盖板，所述OLED器件层包括依次层叠的阳极层、有机功能层、以及阴极层；其中，所述玻璃基板与所述阳极层之间设置有第一一维光子晶体层，所述阴极层与所述玻璃盖板之间设置有第二一维光子晶体层；所述第一一维光子晶体层包括设置于所述玻璃基板上的多层第一晶体单元层，所述第一晶体单元层包括靠近所述玻璃基板的第一高折射率层和远离所述玻璃基板的第一低折射率层，其中，所述第一高折射率层的折射率大于所述第一低折射率层的折射率；所述第二一维光子晶体层包括设置于所述阴极层上的多层第二晶体单元层、第一中折射率层、以及多层第三晶体单元层，所述第二晶体单元层和所述第三晶体单元层均包括靠近所述阴极层的第二高折射率层和远离所述阴极层的第二低折射率层，其中，所述第二高折射率层的折射率、所述第一中折射率层的折射率、以及所述第二低折射率层的折射率依次减小。

在本申请的至少一种实施例中，所述第二晶体单元层的层数不大于所述第三晶体单元层的层数。

在本申请的至少一种实施例中，所述第三晶体单元层的层数至少比所述第二晶体单元层的层数多两层。

在本申请的至少一种实施例中，所述第一晶体单元层的层数为3～10层。

在本申请的至少一种实施例中，所述第一一维光子晶体层还包括设置于多层所述第一晶体单元层上的多层第四晶体单元层，以及设置于多层所述第一晶体单元层与多层所述第四晶体单元层之间的第二中折射率层。

在本申请的至少一种实施例中，所述第一晶体单元层的层数大于所述第四晶体单元层的层数。