[发明专利]具有标记元件的基底、包括其的容器以及其生产方法

权利要求书

1.一种具有标记元件的基底，

其中，所述标记元件在所述基底的至少一个第一表面区域和所述基底的至少一个第二表面区域上延伸；

其中，在所述第一表面区域上，对于所述第一表面区域的至少一个表面粗糙度，所述基底具有至少一个第一粗糙度值；在所述第二表面区域上，对于所述第二表面区域的表面粗糙度，所述基底具有至少一个第二粗糙度值；

其中，在沿至少部分地穿过所述第一表面区域和第二表面区域的至少一条切割线的基底的至少一个高度轮廓中，沿与所述第一表面区域相对应的所述高度轮廓的第一部分的基底的高度大于沿与所述第二表面区域相对应的所述高度轮廓的第二部分的基底的高度；

其中，在所述高度轮廓中，第二部分的最大高度点或至少一个平均高度与第一部分的最小高度点或至少一个平均高度之间的高度差的绝对值定义为深度值；

其中，所述深度值与第二粗糙度值的比例在2到35之间。

2.根据权利要求1所述的基底，

其中，所述表面粗糙度为在相应表面区域的至少一部分上的平均表面粗糙度或均方根表面粗糙度。

3.根据前述权利要求中任一项所述的基底，

其中，所述第一粗糙度值比第二粗糙度值小10、20、30、40、50、60、70、80、90或100倍，所述第一粗糙度值在0.5至20nm之间、优选地在1至10nm之间、更优选地在1至5nm之间，和/或所述第二粗糙度值在5至1000nm之间、优选地在100至700nm之间、更优选地在100至300nm之间或300至500nm之间。

4.根据前述权利要求中任一项所述的基底，

其中，高度值由所述高度轮廓中第一部分的最大高度点处的高度定义；

其中，所述高度值与深度值的比例在100至2000之间，和/或其中，所述高度在0.1至20mm之间、更优选地在0.5至15mm之间、最优选地在0.7至1.7mm之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的基底，

其中，在所述第一表面区域之上或之下，对于所述第一表面区域中或位于其下面的基底的至少一个不同深度处的两种材料的至少一个浓度比，所述基底具有至少一个第一比值；

其中，在所述第二表面区域之上或之下，对于所述第二表面区域中或位于其下面的基底的至少一个不同深度处的两种材料的至少一个浓度比，所述基底具有至少一个第二比值；

优选地，关于所述第一比值和第二比值，将所述基底设计成使得耐水解性提高，特别是与其他基底设计相比。

6.根据权利要求5所述的基底，其中，

(i)所述两种材料的浓度比为材料B与Si、Na与Si、Ca与Si和/或Al与Si的浓度比；

(ii)所述不同深度为相应表面区域以下达2μm、优选地达1μm、更优选地达0.5μm、甚至更优选地达0.2μm的深度；和/或

(iii)通过至少一种ToF-SIMS测量、特别是在不同深度的至少一个表层的至少一种ToF-SIMS测量，在相应表面区域的至少一个位置处获得和/或能够获得所述两种材料的浓度比。

7.根据前述权利要求中任一项所述的基底，

其中，所述基底至少部分包括玻璃、尤其是硅酸盐玻璃如铝硅酸盐玻璃和/或硼硅酸盐玻璃；至少一种聚合物材料如环烯烃共聚物(COC)或环烯烃聚合物(COP)。