[发明专利]一种非隔离关断低待机功耗调光电路在审
申请号: | 202011141207.2 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112105120A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 刘建铨;王畅;吴春晓;韦建飞 | 申请(专利权)人: | 深圳茂硕电子科技有限公司 |
主分类号: | H05B45/325 | 分类号: | H05B45/325;H05B45/30;H05B45/10 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 蒋学超 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 隔离 关断低 待机 功耗 调光 电路 | ||
1.一种非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,包括调光单元、继电器控制单元、继电器单元、电源输出单元以及供电单元;调光单元与继电器控制单元连接,继电器控制单元分别与继电器单元以及供电单元连接,继电器单元与电源输出单元连接,电源输出单元与LED灯连接,供电单元与IC芯片连接;
其中,在调光单元接收到的PWM信号的占空比小于预设的占空比阈值时,调光单元向继电器控制单元输出高电平信号;在接收到调光单元输出的高电平信号时,继电器控制单元控制继电器单元切断电源输出单元向LED灯的供电输出,以及控制供电单元停止向IC芯片供电。
2.根据权利要求1所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,调光单元包括第一电阻、第二电阻、第一电容以及运算放大器,第一电阻与第二电阻串联,第二电阻与运算放大器的负输入端连接,第一电容与第一电阻连接且接地。
3.根据权利要求2所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,非隔离关断低待机功耗调光电路还包括滞环单元,滞环单元包括第三电阻以及第四电阻,第三电阻与运算放大器的正输入端连接,第四电阻分别与运算放大器的正输入端以及运算放大器的输出端连接。
4.根据权利要求2所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,继电器控制单元包括第一MOS管,第一MOS管的栅极与运算放大器的输出端连接,第一MOS管的漏极与继电器单元连接,第一MOS管的源极接地。
5.根据权利要求4所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,第一MOS管的栅极通过第五电阻与运算放大器的输出端连接,第一MOS管的栅极分别通过第六电阻以及第二电容接地。
6.根据权利要求4所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,继电器单元包括继电器,继电器的控制端与第一MOS管的漏极连接。
7.根据权利要求5所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,电源输出单元包括正电源线以及负电源线,继电器包括两被控开关,两被控开关分别设置在正电源线以及负电源线上。
8.根据权利要求4所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,供电单元包括第二MOS管以及三极管,第一MOS管的漏极与第二MOS管的栅极连接,第二MOS管的漏极与三极管的基极连接,第二MOS管的源极接地;三极管的发射极与供电端连接,三极管的集电极与IC芯片连接。
9.根据权利要求8所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,供电端通过第七电阻与第二MOS管的栅极连接,第二MOS管的栅极分别通过第八电阻以及第三电容接地。
10.根据权利要求8所述的非隔离关断低待机功耗调光电路,其特征在于,供电端通过第九电阻与三极管的基极连接,三极管的基极通过第十电阻与第二MOS管的漏极连接。
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