[发明专利]图像传感器封装方法、辅助模具及图像传感器有效
申请号: | 202011142445.5 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN111969000B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 胡毅;韩顺枫;关媛;李博夫;李大猛;李德建 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;王晓晓 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 封装 方法 辅助 模具 | ||
本发明提供一种图像传感器封装方法、辅助模具及图像传感器。所述方法包括:将图像传感器裸芯片贴装在临时载板上;使用键合线键合图像传感器裸芯片的焊盘与临时载板上的金属线路层;使用辅助模具压紧图像传感器裸芯片,使得图像传感器裸芯片的感光区域位于第一空间,图像传感器裸芯片的焊盘以及金属线路层位于第二空间,第一空间与第二空间互不连通;向第二空间填充塑封料,实现塑封成型;脱开所述辅助模具,形成图像传感器塑封体;去除图像传感器塑封体底部的临时载板;将滤光玻璃贴装在塑封体上表面,得到封装好的图像传感器。提供一种键合线埋入封装体内的小外形、高可靠性、防溢料和小翘曲的图像传感器封装方法。
技术领域
本发明涉及图像传感器技术领域,具体地涉及一种图像传感器封装方法、一种图像传感器封装辅助模具以及一种图像传感器。
背景技术
目前,针对图像传感器的封装主要有COB(Chip On Board,板上芯片封装)、MOB(Molding On Board,板上塑封)、MOC(Molding On Chip,芯片塑封)和CSP(Chip ScalePackaging,芯片尺寸封装)。封装像素较高的图像传感器,基本上使用COB、MOB和MOC封装,而CSP主要应用于低像素图像传感器封装。
COB封装具有工艺简单,成本较低,便于后端SMT安装等优势。但是对于图像传感器的封装,COB无法轻松满足较高的引脚数,且无法满足小型、薄型化封装;并且在COB封装图像传感器中,键合线裸露在COB腔体里,抗振动性能很差。随着图像传感器性能逐渐提升,感光区域越来越大,以及摄像头模组数量的增多,使图像传感器尺寸越来越大,对图像传感器封装的小型化、高可靠性提出了更高的要求。
MOB和MOC封装是近年来开发出来的封装图像传感器的封装技术,MOB中封装同时将无源器件(电容、电阻等)塑封在内,能够降低无源器件对图像传感器裸芯片感光区域的污染风险, MOC封装技术中,键合线也同时被塑封起来,增大了图像传感器的可靠性。但是MOB和MOC封装图像传感器厚度较大,不能实现小型化封装;并且通过点胶进行塑封,容易发生溢料,导致图像传感器裸芯片感光区域污染。同时MOB和MOC封装在塑封过程中,都易出现翘曲过大导致图像传感器精度降低的风险。
CSP封装具有封装尺寸小,电气性能优异等优势。但是由于制造难度大,工艺复杂等原因,使成本居高不下。近年来快速发展的圆片级封装WLP(Wafer Level Package,晶圆级封装)以及3D封装,具有更小的封装尺寸,更佳的电气特性。但是由于主要涉及TSV(Through Silicon Via,硅通孔)技术,技术难度很大,封装良率低,不适用于批量生产。综上,目前图像传感器的封装方法不能很好的满足图像传感器的快速发展。
发明内容
本发明实施方式的目的是提供一种图像传感器封装方法、辅助模具及图像传感器,针对目前图像传感器封装方面存在的缺陷,特别是针对COB、MOB和MOC封装的不足,提供一种键合线埋入封装体内的小外形、高可靠性、防溢料和小翘曲的图像传感器封装方法,且本方法非常适用于图像传感器的批量生产。辅助模具辅助实现图像传感器封装,有效防止溢料,实现图像传感器批量生产。
为了实现上述目的,本发明第一方面提供一种图像传感器封装方法,所述方法包括:
将图像传感器裸芯片贴装在临时载板上;
使用键合线键合所述图像传感器裸芯片的焊盘与所述临时载板上与所述焊盘对应的金属线路层;
使用辅助模具压紧所述图像传感器裸芯片,使得所述图像传感器裸芯片的感光区域位于第一空间,所述图像传感器裸芯片的焊盘以及所述临时载板上的金属线路层位于第二空间,所述第一空间与所述第二空间互不连通;
向所述第二空间填充塑封料实现塑封成型;
脱开所述辅助模具,形成图像传感器塑封体;
去除所述图像传感器塑封体底部的临时载板;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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