[发明专利]静电放电保护结构及其制作方法

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：

第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底包括中心区域和环绕所述中心区域的边缘区域；

第一导电类型阱，所述第一导电类型阱嵌设于所述中心区域，且所述第一导电类型阱的掺杂浓度大于所述第一导电类型衬底；

多个并联连接的MOS晶体管，所述MOS晶体管包括位于所述第一导电类型阱上的第一MOS晶体管，以及位于所述边缘区域的第二MOS晶体管；

第一导电类型衬底接触部，所述第一导电类型衬底接触部环绕所述边缘区域。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：所述中心区域的横截面积与所述边缘区域的横截面积的比值包括1/9～3/2。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：所述静电放电保护结构还包括第二导电类型保护环，所述第二导电类型保护环环绕所述边缘区域，并位于所述第一导电类型衬底接触部外围。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：所述MOS晶体管包括栅极接地MOS晶体管及栅极耦合MOS晶体管中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：所述边缘区域还嵌设有第二导电类型掺杂区，且所述第二导电类型掺杂区的掺杂浓度小于所述MOS晶体管中的源漏极掺杂浓度。

6.根据权利要求1～5中任一所述的静电放电保护结构，其特征在于：所述第一导电类型包括N型或P型。

7.一种静电放电保护结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底包括中心区域和环绕所述中心区域的边缘区域；

于所述中心区域形成第一导电类型阱，且所述第一导电类型阱的掺杂浓度大于所述第一导电类型衬底；

形成多个并联连接的MOS晶体管以及第一导电类型衬底接触部，其中，所述MOS晶体管包括形成于所述第一导电类型阱上的第一MOS晶体管，以及形成于所述第一导电类型衬底上的第二MOS晶体管；所述第一导电类型衬底接触部环绕所述边缘区域。

8.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型衬底接触部的掺杂浓度大于所述第一导电类型阱，且形成所述MOS晶体管以及第一导电类型衬底接触部，包括：

形成所述MOS晶体管的栅极；

形成所述第一导电类型衬底接触部；

形成所述MOS晶体管的源漏极。

9.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于，还包括：形成第二导电类型保护环的步骤，所述第二导电类型保护环环绕所述边缘区域，并位于所述第一导电类型衬底接触部外围，且在形成所述MOS晶体管的源漏极时形成所述第二导电类型保护环。

10.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于：所述中心区域的横截面积与所述边缘区域的横截面积的比值包括1/9～3/2。

11.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于，还包括：在所述边缘区域进行第二导电类型掺杂的步骤，且所述第二导电类型掺杂区的掺杂浓度小于所述MOS晶体管中的源漏极掺杂浓度。

12.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于，所述于所述中心区域形成第一导电类型阱包括：形成高压第一导电类型阱，并形成所述第一导电类型阱。

13.根据权利要求7～12中任一所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于：所述第一导电类型包括N型或P型；所述MOS晶体管包括栅极接地MOS晶体管及栅极耦合MOS晶体管中的至少一种。