[发明专利]用于存储电路的读取方法在审
| 申请号： | 202011143863.6 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112750475A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 卡罗斯·H·迪亚兹;江宏礼;陈自强;王奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C5/14 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 存储 电路 读取 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于存储电路的读取方法，其中所述存储电路包括存储胞元及电耦合到所述存储胞元的选择器，所述读取方法包括：
对所述选择器施加第一电压，其中所述第一电压的第一电压电平大于与所述选择器对应的电压阈值；以及
在施加所述第一电压之后，对所述选择器施加第二电压，以感测存储在所述存储胞元中的一个或多个位值，其中所述第二电压的第二电压电平是恒定的且小于所述电压阈值，
其中施加所述第一电压的第一持续时间小于施加所述第二电压的第二持续时间，
其中所述第二电压是在所述第一持续时间结束之后施加。
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