[发明专利]用于存储电路的读取方法

说明书

一种用于存储电路的读取方法，其中存储电路包括存储胞元及电耦合到存储胞元的选择器。所述读取方法包括：对选择器施加第一电压，其中第一电压的第一电压电平大于与选择器对应的电压阈值；以及在施加第一电压之后，对选择器施加第二电压，以感测存储在存储胞元中的一个或多个位值，其中第二电压的第二电压电平是恒定的且小于电压阈值，其中施加第一电压的第一持续时间小于施加第二电压的第二持续时间，其中所述第二电压是在第一持续时间结束之后施加。

技术领域

在本发明的实施例中阐述的技术大体来说涉及存储电路，且更具体来说，涉及用于存储电路的读取方法。

背景技术

集成电路(integrated circuit，IC)中的电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的改善源自于缩小半导体工艺节点，此需要减少在半导体工艺节点中开发的电子电路的操作电压及电流消耗。因此，存储装置(也被称为存储单元、存储电路)的存取速度将变得更快，并且对施加到存储装置上的读取电压的管理变得更加重要。

发明内容

本发明实施例提供一种用于存储电路的读取方法，其中所述存储电路包括存储胞元及电耦合到所述存储胞元的选择器，所述读取方法包括：对所述选择器施加第一电压，其中所述第一电压的第一电压电平大于与所述选择器对应的电压阈值；以及在施加所述第一电压之后，对所述选择器施加第二电压，以感测存储在所述存储胞元中的一个或多个位值，其中所述第二电压的第二电压电平是恒定的且小于所述电压阈值，其中施加所述第一电压的第一持续时间小于施加所述第二电压的第二持续时间，其中所述第二电压是在所述第一持续时间结束之后施加。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据本公开一些实施例的存储电路的示意图。

图2示出根据本公开一些实施例的用于读取存储电路而施加的电压的波形的示意图。

图3示出根据本公开一些实施例的出现读取扰动事件的机率与读取电流比率之间的局部关系图。

图4示出根据本公开一些实施例的出现读取扰动事件的机率与读取电流电平之间的关系图。

图5示出根据本公开一些实施例的与脉冲电压及读取电压对应的电流比率与持续时间比率之间的关系图。

图6示出根据本公开一些实施例的所施加的电压与读取电流电平之间的关系图。

图7示出根据本公开一些实施例的用于读取存储电路而施加的电压及电流的波形的示意图。

图8A示出根据本公开一些实施例的存储器读取方法的流程图。

图8B示出根据本公开一些实施例的存储器读取方法的流程图。

图9A示出根据本公开一些实施例的用于写入存储电路而施加的电压的波形的示意图。

图9B示出根据本公开一些实施例的存储器写入方法的流程图。

图10A示出根据本公开一些实施例的用于写入存储电路而施加的电压及电流的波形的示意图。

图10B示出根据本公开一些实施例的存储器写入方法的流程图。

具体实施方式