[发明专利]基板加热装置

说明书

本发明涉及基板加热装置。提高在基板加热装置加热了基板时形成在基板上的膜的膜厚的均匀性。基板加热装置用于在壳体内加热基板，在所述壳体内并列设置有载置基板并对其进行加热的加热板和载置基板并对其进行冷却的冷却板，该基板加热装置具有：气体喷嘴，其沿着所述并列设置的方向，在所述加热板的上方朝向所述壳体的靠所述加热板侧的一端部形成单向气流；以及闸，其能够在所述壳体内上下移动，并对至少所述加热板和所述冷却板之间的所述基板的输送空间进行分隔，所述气体喷嘴的喷出部配置在所述闸和所述加热板之间。

技术领域

本公开涉及基板加热装置。

背景技术

在专利文献1记载有一种基板加热装置，其具备：加热板，其用于载置基板并对其进行加热；冷却板，其与所述加热板在前后方向上相邻地设置，用于载置从外部送入的加热处理前的基板并且冷却由所述加热板加热处理后的基板；基板输送机构，其用于在所述冷却板和加热板之间输送基板；隔热板，其从所述加热板的下方侧延伸设置到所述冷却板的下方侧；以及冷却机构，其用于冷却所述隔热板，该基板加热装置还具有低氧气氛形成部，其用于使加热处理基板的气氛成为低氧气氛，所述基板输送机构具备：基板保持部，其用于保持基板；以及移动机构，其设于比所述隔热板靠下方侧，以使所述基板保持部在前后方向上移动。

专利文献1：日本特开2018-182263号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的技术在于，提高在基板加热装置对基板进行了加热时形成在基板上的膜的膜厚的均匀性。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的基板加热装置用于在壳体内加热基板，在所述壳体内并列设置有载置基板并对其进行加热的加热板和载置基板并对其进行冷却的冷却板，该基板加热装置具有：气体喷嘴，其沿着所述并列设置的方向，在所述加热板的上方朝向所述壳体的靠所述加热板侧的一端部形成单向气流；以及闸，其能够在所述壳体内上下移动，并对至少所述加热板和所述冷却板之间的所述基板的输送空间进行分隔，所述气体喷嘴的喷出部配置在所述闸和所述加热板之间。

发明的效果

根据本公开，能够提高在基板加热装置对基板进行了加热时形成在基板上的膜的膜厚的均匀性。

附图说明

图1是示意地表示示出第1实施方式的基板加热装置的概略结构的侧面的说明图。

图2是示意地表示示出图1的基板加热装置的概略结构的俯视剖面的说明图。

图3是示意地表示示出第2实施方式的基板加热装置的概略结构的侧面的说明图。

图4是示意地表示示出图3的基板加热装置的概略结构的俯视剖面的说明图。

图5是第2实施方式的基板加热装置所使用的气体喷嘴的立体图。

图6是第2实施方式的基板加热装置所使用的气体喷嘴的分解立体图。

图7是第2实施方式的基板加热装置所使用的气体喷嘴的侧视图。

图8是表示能够在第2实施方式的基板加热装置采用的气体流路的另一例的说明图。

图9是表示能够在第2实施方式的基板加热装置采用的气体流路的另一例的说明图。

具体实施方式

例如作为在半导体器件的制造工序中使用的蚀刻掩膜即薄膜，公知有例如被称为SOC(Spin On Carbon：旋涂碳)膜等的涂布膜。该涂布膜是利用旋涂法将包含涂布膜的前体的处理液涂布在基板、例如半导体晶圆(以下称为“晶圆”)之后，进行加热并利用交联反应使其固化而得到的。