[发明专利]晶片的处理方法在审
| 申请号： | 202011145268.6 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112786533A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈晔 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 方法 | ||
1.一种晶片的处理方法，该晶片在正面上由分割预定线划分而形成有多个具有突起状的电极的器件，其中，
该晶片的处理方法包含如下的工序：
切削工序，利用卡盘工作台的保持面对晶片的背面进行保持，利用与该保持面平行地旋转的刀具对突起状的电极的头进行切削而使该头的高度一致，并且使金属面露出；
热压接片敷设工序，将热压接片敷设于晶片的正面；
热压接工序，对热压接片进行加热并且进行按压来进行热压接；以及
剥离工序，在将晶片分割成各个器件芯片并将该电极接合于布线基板之前，将该热压接片剥离。
2.根据权利要求1所述的晶片的处理方法，其中，
该晶片的处理方法包含如下的镀覆工序：在该切削工序之后且在实施该热压接工序之前，在形成于该电极的头的金属面上形成镀覆层。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的处理方法，其中，
该热压接片是聚烯烃系片或聚酯系片。
4.根据权利要求1或2所述的晶片的处理方法，其中，
该热压接片是聚乙烯片，
在该热压接工序中，对热压接片进行加热时的加热温度为120℃～140℃。
5.根据权利要求1或2所述的晶片的处理方法，其中，
该热压接片是聚丙烯片，
在该热压接工序中，对热压接片进行加热时的加热温度为160℃～180℃。
6.根据权利要求1或2所述的晶片的处理方法，其中，
该热压接片是聚苯乙烯片，
在该热压接工序中，对热压接片进行加热时的加热温度为220℃～240℃。
7.根据权利要求1或2所述的晶片的处理方法，其中，
该热压接片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片，
在该热压接工序中，对热压接片进行加热时的加热温度为250℃～270℃。
8.根据权利要求1或2所述的晶片的处理方法，其中，
该热压接片是聚萘二甲酸乙二醇酯片，
在该热压接工序中，对热压接片进行加热时的加热温度为160℃～180℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
