[发明专利]晶片的处理方法

说明书

本发明提供晶片的处理方法，即使在对突起状的电极的头进行切削之后经过时间，也不会妨碍之后实施的接合。一种晶片的处理方法，该晶片在正面上由分割预定线划分而形成有多个具有突起状的电极的器件，其中，该晶片的处理方法包含如下的工序：切削工序，利用卡盘工作台的保持面对晶片的背面进行保持，利用与保持面平行地旋转的刀具对突起状的电极的头进行切削而使该头的高度一致，并且使金属面露出；热压接片敷设工序，将热压接片敷设于晶片的正面；热压接工序，对热压接片进行加热并且进行按压来进行热压接；以及剥离工序，在将晶片分割成各个器件芯片并将电极接合于布线基板之前，将热压接片从晶片剥离。

技术领域

本发明涉及晶片的处理方法，该晶片由分割预定线划分而在正面上形成有多个具有突起状的电极的器件。

背景技术

在通过磨削装置对由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度之后，通过划片装置、激光加工装置等将晶片分割为各个器件芯片，该器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

另外，关于由分割预定线划分而在正面上形成有多个具有突起状的电极的器件的晶片，为了使电极的头(顶部)的高度一致并去除表面的氧化膜和污垢，将该晶片搬送到切削装置，将晶片的背面保持在卡盘工作台的保持面上，利用与该保持面平行地旋转的刀具对突起状的电极(凸块)的头进行切削(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2000-319697号公报

如上所述，虽然被搬送到切削装置而突起状的电极的头被切削从而使高度一致且金属面露出的晶片成为适于接合的状态，但不一定要在对电极的头进行切削之后立即分割成各个器件芯片而实施接合工序。随着时间的经过，在电极的该金属面上形成氧化膜，根据保管状况还会附着污垢，有可能妨碍后续工序的接合。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其目的在于提供一种晶片的处理方法，即使在对突起状的电极的头进行切削之后经过时间，也不会妨碍之后实施的接合。

根据本发明的一个方面，提供晶片的处理方法，该晶片在正面上由分割预定线划分而形成有多个具有突起状的电极的器件，其中，该晶片的处理方法包含如下的工序：切削工序，利用卡盘工作台的保持面对晶片的背面进行保持，利用与该保持面平行地旋转的刀具对突起状的电极的头进行切削而使该头的高度一致，并且使金属面露出；热压接片敷设工序，将热压接片敷设于晶片的正面；热压接工序，对热压接片进行加热并且进行按压来进行热压接；以及剥离工序，在将晶片分割成各个器件芯片并将该电极接合于布线基板之前，将该热压接片剥离。

在本发明的一个方面中，优选的是，晶片的处理方法包含如下的镀覆工序：在该切削工序之后且在实施该热压接工序之前，在形成于该电极的头的金属面上形成镀覆层。

在本发明的一个方面中，优选的是，该热压接片是聚烯烃系片或聚酯系片。优选的是，该聚烯烃系片是聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意一种，该聚酯系片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意一种。此外，优选的是，关于在热压接工序中对热压接片进行加热时的加热温度，在选择了聚乙烯片作为该热压接片的情况下为120℃～140℃，在选择了聚丙烯片的情况下为160℃～180℃，在选择了聚苯乙烯片的情况下为220℃～240℃，在选择了聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下为250℃～270℃，在选择了聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下为160℃～180℃。

根据本发明的一个方面的晶片的处理方法，在对电极的头进行切削之后，在将晶片分割成各个器件芯片并接合之前的期间，电极与外部气体隔断，因此该电极的金属面不会氧化或被污染，从而不容易妨碍接合。

附图说明

图1是适合于实施本实施方式的切削工序的切削装置的整体立体图。