[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 202011145681.2 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112201671B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 高秉详 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
可挠性基板;
复合导电层,设置于所述可挠性基板上,其中所述复合导电层包括相叠合的透明导电膜及金属保护膜,所述金属保护膜的硬度大于所述透明导电膜的硬度;
导电粒子胶层,设置于所述复合导电层上;以及
半导体发光元件,设置于所述导电粒子胶层上,且所述半导体发光元件经由所述导电粒子胶层电性连接所述复合导电层。
2.如权利要求1所述之显示装置,其特征在于所述金属保护膜设置于所述透明导电膜与所述导电粒子胶层之间。
3.如权利要求1所述之显示装置,其特征在于所述金属保护膜设置于所述可挠性基板与所述透明导电膜之间。
4.如权利要求1所述之显示装置,其特征在于所述复合导电层包括两个所述金属保护膜,且所述透明导电膜设置于两个所述金属保护膜之间。
5.如权利要求1所述之显示装置,其特征在于所述导电粒子胶层包括复数导电粒子及导电胶,其中所述导电胶围绕所述导电粒子。
6.如权利要求1所述之显示装置,其特征在于所述导电粒子胶层包括导电通道,所述导电通道连接所述半导体发光元件及所述复合导电层。
7.如权利要求1所述之显示装置,其特征在于所述金属保护膜的厚度介于15nm至20nm之间。
8.如权利要求1所述之显示装置,其特征在于所述金属保护膜的材料包括金、银、铜、铝、铂或其合金。
9.如权利要求1所述之显示装置,其特征在于所述金属保护膜的导电率大于所述透明导电膜的导电率。
10.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
在可挠性基板上形成复合导电层,其中所述复合导电层包括相叠合的透明导电膜及金属保护膜,所述金属保护膜的硬度大于所述透明导电膜的硬度;
在所述复合导电层上形成导电粒子胶层;以及
将半导体发光元件压合在所述导电粒子胶层上,使得所述半导体发光元件电性连接所述复合导电层。
11.如权利要求10所述之制造方法,其特征在于所述金属保护膜设置于所述透明导电膜与所述导电粒子胶层之间。
12.如权利要求10所述之制造方法,其特征在于所述金属保护膜设置于所述可挠性基板与所述透明导电膜之间。
13.如权利要求10所述之制造方法,其特征在于在所述可挠性基板上形成所述复合导电层包括:
在所述可挠性基板上形成第一金属保护膜;
在所述第一金属保护膜上形成所述透明导电膜;以及
在所述透明导电膜上形成第二金属保护膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司,未经业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的