[发明专利]LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置在审
| 申请号： | 202011147363.X | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112289905A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 苏宏波;孙平如 | 申请（专利权）人： | 深圳市聚飞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00;H01L33/48;H01L25/16;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 江婷 |
| 地址： | 518111 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 封装 器件 显示装置 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底，设置于所述衬底一侧的芯片主体；
所述芯片主体设置有半导体层，所述半导体层包括：N型半导体层和P型半导体层；
所述半导体层背离所述衬底一侧设置有第一电极层；
所述第一电极层背离所述衬底一侧设置有第二电极层，所述第二电极层完全覆盖所述第一电极层；
所述第二电极层背离所述第一电极层一侧设置有第三电极层，所述第二电极层与渗透所述第三电极层的目标焊料发生反应形成焊接结构。
2.如权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括设置在所述半导体层与所述第一电极层之间的反射层。
3.如权利要求1-2任一项所述LED芯片，其特征在于，所述第二电极层的厚度为0.4um-0.6um。
4.如权利要求3所述LED芯片，其特征在于，所述目标焊料为含锡焊料，所述第二电极层为能与所述含锡焊料发生反应的金属电极层。
5.如权利要求3所述LED芯片，其特征在于，所述第三电极层的厚度为0.5um-0.7um。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底一侧形成芯片主体；
所述芯片主体包括：半导体层，所述半导体层包括：N型半导体层和P型半导体层；
在所述半导体层背离所述衬底一侧设置第一电极层；
在所述第一电极层背离所述衬底一侧设置第二电极层，所述第二电极层完全覆盖所述第一电极层；
在所述第二电极层背离所述第一电极层一侧设置有第三电极层。
7.如权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述半导体层背离所述衬底一侧设置第一电极层包括：
在所述半导体层背离所述衬底一侧设置反射层；
在所述反射层背离所述半导体层一侧设置所述第一电极层。
8.如权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述反射层的材质包括：ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ni和Ti中的至少一种。
9.一种LED封装器件，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的LED芯片。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的LED芯片。
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