[发明专利]LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置，包括：衬底，设置于衬底一侧的芯片主体；芯片主体设置有半导体层，半导体层包括：N型半导体层和P型半导体层；半导体层背离衬底一侧设置有第一电极层；第一电极层背离衬底一侧设置有第二电极层，第二电极层完全覆盖第一电极层；第二电极层背离第一电极层一侧设置有第三电极层，第二电极层与渗透第三电极层的目标焊料发生反应形成焊接结构。使得第三电极层与目标焊料发生反应得到焊接层的同时，渗透第三电极层的目标焊料与第二电极层发生反应得到稳定的焊接层，在不增加第三电极层厚度的情况下，使得目标焊料与第二电极层与第三电极层分别发生反应形成稳定的焊接结构，进而加强了焊接的可靠性。

技术领域

本发明实施例涉及但不限于LED芯片领域，具体而言，涉及但不限于LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

目前，相关技术中，LED芯片电镀Au(金)等金属作为电极层与焊料进行焊接形成焊接层，起到电导通作用，由于Au等金属成本高昂，因此该电极层设置为一薄层，因此，LED芯片电极层与焊料焊接形成的焊接层也是很薄的焊接层，随着LED芯片工作时间的增长，LED芯片结构中，LED芯片的电极结构与焊料形成的焊接层会形成空洞，造成焊接可靠性逐渐丧失，最后导致LED芯片电连接开路，丧失工作功能。

发明内容

本发明实施例提供的LED芯片及其制作方法、LED封装器件、显示装置，主要解决的技术问题是相关技术中，LED电极与焊料形成的焊接层容易形成空洞，导致焊接可靠性低的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种LED芯片，包括：

衬底，设置于所述衬底一侧的芯片主体；

所述芯片主体设置有半导体层，所述半导体层包括：N型半导体层和P型半导体层；

所述半导体层背离所述衬底一侧设置有第一电极层；

所述第一电极层背离所述衬底一侧设置有第二电极层，所述第二电极层完全覆盖所述第一电极层；

所述第二电极层背离所述第一电极层一侧设置有第三电极层，所述第二电极层与渗透所述第三电极层的目标焊料发生反应形成焊接结构。

可选的，所述LED芯片还包括设置在所述半导体层与所述第一电极层之间的反射层；

可选的，所述第二电极层的厚度为0.4um-0.6um；

可选的，所述目标焊料为含锡焊料，所述第二电极层为能与所述含锡焊料发生反应的金属电极层；

可选的，所述第三电极层的厚度为0.5um-0.7um；

进一步地，本实施例还提供一种如上所述的LED芯片的制作方法，包括：

在衬底一侧形成芯片主体；

所述芯片主体包括：半导体层，所述半导体层包括：N型半导体层和P型半导体层；

在所述半导体层背离所述衬底一侧设置第一电极层；

在所述第一电极层背离所述衬底一侧设置第二电极层，所述第二电极层完全覆盖所述第一电极层；

在所述第二电极层背离所述第一电极层一侧设置有第三电极层。

可选的，所述在所述半导体层背离所述衬底一侧设置第一电极层包括：

在所述半导体层背离所述衬底一侧设置反射层；