[发明专利]一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路

权利要求书

1.一种逻辑电路的生成方法，其特征在于，包括：

设计并生成初始隧穿场效应晶体管逻辑电路，所述初始隧穿场效应晶体管逻辑电路包括至少一个逻辑门；

确定所述逻辑门的串联支路中与所述逻辑门的输入节点连接的第一隧穿场效应晶体管；

使用场效应晶体管替换所述第一隧穿场效应晶体管；

在所述逻辑门的串联支路与所述逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管，生成逻辑电路。

2.根据权利要求1所述的逻辑电路的生成方法，其特征在于，所述使用场效应晶体管替换所述第一隧穿场效应晶体管，包括：

确定所述逻辑门中的第一隧穿场效应晶体管的第一数量；

使用与所述第一数量相同的场效应晶体管按照所述第一隧穿场效应晶体管在所述逻辑门中的连接方式，对所述逻辑门中的第一隧穿场效应晶体管进行替换，

或选择一个所述第一隧穿场效应晶体管，使用一个场效应晶体管按照被选择的所述第一隧穿场效应晶体管在所述逻辑门中的连接方式，对所述逻辑门中被选择的第一隧穿场效应晶体管进行替换。

3.根据权利要求2所述的逻辑电路的生成方法，其特征在于，所述在所述逻辑门的串联支路与所述逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管，生成逻辑电路，包括：

在所述逻辑门的串联支路中确定与所述逻辑门的输出节点连接的场效应晶体管，此场效应晶体管为第一场效应晶体管；

在所述第一场效应晶体管与所述逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管；

增加的所述第二隧穿场效应晶体管，其漏端与所述输出节点连接，其源端与所述第一场效应晶体管连接，其栅端输入使能信号；

生成逻辑电路。

4.根据权利要求1所述的逻辑电路的生成方法，其特征在于，所述第一隧穿场效应晶体管和第二隧穿场效应晶体管均包括：平面结构隧穿场效应晶体管、鳍式结构隧穿场效应晶体管和/或纳米线结构隧穿场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的逻辑电路的生成方法，其特征在于，所述场效应晶体管包括：平面场效应晶体管、鳍式场效应晶体管、纳米线场效应晶体管、纳米片场效应晶体管和/或负电容晶体管。

6.一种与非门电路，其特征在于，包括：第一P型隧穿场效应晶体管、第二P型隧穿场效应晶体管、第三N型隧穿场效应晶体管、第一N型场效应晶体管和第二N型场效应晶体管；

所述第一P型隧穿场效应晶体管和第二P型隧穿场效应晶体管的源端均连接电源电压；

所述第一P型隧穿场效应晶体管的栅端和第一N型场效应晶体管的栅端均与第一输入节点连接，所述第一P型隧穿场效应晶体管的漏端、所述第二P型隧穿场效应晶体管的漏端以及第三N型隧穿场效应晶体管的漏端均与输出节点连接；

所述第二P型隧穿场效应晶体管的栅端和所述第二N型场效应晶体管的栅端均与第二输入节点连接；

所述第一N型场效应晶体管的源端接地，漏端与所述第二N型场效应晶体管的源端连接；

所述第三N型隧穿场效应晶体管的源端与所述第二N型场效应晶体管的漏端连接，栅端输入使能信号。

7.一种或非门电路，其特征在于，包括：第一N型隧穿场效应晶体管、第二N型隧穿场效应晶体管、第三P型隧穿场效应晶体管、第一P型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管；

所述第一P型场效应晶体管的源端接电源电压，漏端与所述第二P型场效应晶体管的源端连接，所述第二P型场效应晶体管的漏端与所述第三P型隧穿场效应晶体管的源端连接；所述第三P型隧穿场效应晶体管的栅端输入反相使能信号；

所述第一N型隧穿场效应晶体管的源端与所述第二N型隧穿场效应晶体管的源端均接地，所述第一N型隧穿场效应晶体管的漏端与所述第二N型隧穿场效应晶体管的漏端以及所述第三P型隧穿场效应晶体管的漏端均与输出节点连接；

所述第一N型隧穿场效应晶体管的栅端和所述第二P型场效应晶体管的栅端均与第一输入节点连接；所述第二N型隧穿场效应晶体管的栅端和所述第一P型场效应晶体管的栅端均与第二输入节点连接。