[发明专利]一种低辐射玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种低辐射玻璃，其特征在于，包括：

玻璃基片；

底层电介质组合层，所述底层电介质组合层由高、低折射率材料交替镀于所述玻璃基片上，所述高折射率材料包括含锆材料化合物；

功能层，所述功能层包括第一功能层，所述第一功能层镀于所述底层电介质组合层上；

阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡层，所述第一阻挡层镀于所述第一功能层上；

顶层电介质组合层，所述顶层电介质组合层镀于远离所述玻璃基底的最外层。

2.如权利要求1所述的一种低辐射玻璃，其特征在于，所述低辐射玻璃还包括：

第一中间电介质组合层，所述第一中间电介质组合层镀于所述底层电介质组合层和所述顶层电介质组合层之间；

所述功能层还包括第二功能层，所述第二功能层镀于所述第一中间电介质组合层上；

所述阻挡层还包括第二阻挡层，所述第二阻挡层镀于所述第二功能层上。

3.如权利要求2所述的一种低辐射玻璃，其特征在于，所述低辐射玻璃还包括：

第二中间电介质组合层，所述第二中间电介质组合层镀于所述第一中间电介质组合层和所述顶层电介质组合层之间；

所述功能层还包括第三功能层，所述第三功能层镀于所述第二中间电介质组合层上；

所述阻挡层还包括第三阻挡层，所述第三阻挡层镀于所述第三功能层上。

4.如权利要求1至3任一项所述的一种低辐射玻璃，其特征在于，所述含锆材料化合物包括SiZrAlNx、ZrSiOx、ZrSiNx、ZrTiOx、ZrTiNx中的一种或几种，所述高折射率材料膜层的厚度为20nm～30nm。

5.如权利要求4所述的一种低辐射玻璃，其特征在于，所述底层电介质组合层的高折射率材料的锆含量为5％～50％。

6.如权利要求4所述的一种低辐射玻璃，其特征在于，所述功能层包括银、纳米铜、细晶银中的任一种或两种材料分别镀膜形成，所述功能层的厚度为5nm～20nm。

7.如权利要求6所述的一种低辐射玻璃，其特征在于，所述阻挡层包括NiCr、NiCrOx、NiCrNx中的任一种或几种材料分别镀膜形成，所述阻挡层的厚度为0.8nm～1.5nm。

8.如权利要求1至3任一项所述的一种低辐射玻璃，其特征在于，所述底层电介质组合层的低折射率材料包括SiAlNx、ZnSnOx、ZnAlOx、SiBOx、AZO中的一种或几种，所述低折射率材料膜层的厚度为10nm～20nm。

9.如权利要求1至3任一项所述的一种低辐射玻璃，其特征在于，所述顶层电介质组合层包括SiZrAlNx、ZrSiOx、ZrSiNx、ZrTiOx、ZrTiNx中的任一种，所述顶层电介质组合层的厚度为30nm～40nm。

10.一种低辐射玻璃的制备方法，其特征在于，包括：

S1、提供玻璃基片；

S2、在所述玻璃基片上采用中频电源加旋转阴极溅射交替沉积高、低折射率材料形成底层电介质组合层；

S3、在所述底层电介质组合层上采用直流双极脉冲电源溅射沉积形成第一功能层；

S4、在所述第一功能层上采用直流电源加脉冲溅射沉积形成第一阻挡层；

S5、在远离所述玻璃基片的最外层采用中频电源加旋转阴极溅射沉积形成顶层电介质组合层。

11.如权利要求10所述的一种低辐射玻璃的制备方法，其特征在于，所述底层电介质组合层的高折射率材料采用中频电源加旋转阴极在氩氮氛围中溅射沉积，功率为50kw-70kw，中频电源频率为30～50kHz；

所述底层电介质组合层的低折射率材料采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中溅射沉积，功率为30kw-40kw，中频电源频率为30～50kHz。