[发明专利]一种Any Layer外层4分割曝光对位方法

权利要求书

1.一种Any Layer外层4分割曝光对位方法，其特征在于：所述方法包括，

S1：对位，在Any Layer外层制作时，选取N-2层内层板为对位基准进行对位，通过打靶打出来的三点方向箭靶把N-2层内层线路的对位基准通过孔引导到外层板，在机钻钻孔PNL板上通过打靶打出T靶，三点方向箭靶和T靶在内层线路制作时进行叠靶设计，其中N为线路板的层数；

S2：靶位制作，所述靶位制作采用CO2机台进行，包括，

S2.1：通过CO2机台抓取三点方向箭靶，烧出PCB板TOP面上区域的SK镭射靶位；

S2.2：通过CO2机台抓取上区域的SK镭射靶位，烧出上区域客户需要的laser孔、上区域用于线路对位的3个SX线路靶位和下区域的SK镭射靶位，采用自毁模式，毁掉上区域的SK镭射靶位；

S2.3：通过CO2机台抓取下区域的SK镭射靶位，烧出下区域客户需要的laser孔、下区域用于线路对位的6个SX线路靶位，采用自毁模式，毁掉下区域的SK镭射靶位；

S3：靶位制作完成后，线路板上成型区的孔依次经沉铜、填孔电镀，laser孔经沉铜、填孔电镀后连通内外层，9个SX线路靶位经沉铜、填孔电镀后各形成凹陷，各凹陷在后续用于线路制作；

S4：线路4分割曝光制作：所述线路4分割曝光采用线路LDI机台进行曝光，线路LDI机台先抓取上左区域的4个SX线路靶位进行上左区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊上左区域的对位光学点FID，再抓取上右区域的4个SX线路靶位进行上右区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊上右区域的对位光学点FID，然后再抓取下左区域的4个SX线路靶位进行下左区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊下左区域的对位光学点FID，最后再抓取下右区域的4个SX线路靶位进行下右区域的线路曝光，同时曝光出用于阻焊下右区域的对位光学点FID，达到线路四分割曝光制作，所述四分割曝光的分割线在PCB板的中心线上，且位于SET工艺边上。

2.根据权利要求1所述的Any Layer外层4分割曝光对位方法，其特征在于，上述S2步骤中在CO2机台制作SK镭射靶位和SX线路靶位处设计有挡铜层，所述挡铜层采用选镀流程在SK镭射靶位和SX线路靶位对应区域进行加镀铜实现。

3.根据权利要求2所述的Any Layer外层4分割曝光对位方法，其特征在于，所述挡铜层的加镀铜厚度在10um。

4.根据权利要求3所述的Any Layer外层4分割曝光对位方法，其特征在于，所述选镀流程包括如下步骤，

步骤1：线路前处理，按正常工序对线路进行前处理；

步骤2：压膜，选取选镀干膜，在N-2层除与TOP层上的SK镭射靶位和SX线路靶位对应区域以外的区域贴上选镀干膜进行保护；

步骤3：曝光，曝光机抓取PNL上的T靶进行对位，对除与TOP层上的SK镭射靶位和SX线路靶位对应区域以外的区域进行曝光，确保显影后未选镀位置有干膜保护；

步骤4：选镀，采用电镀工艺对N-2层在与TOP层上的SK镭射靶位和SX线路靶位对应区域进行电镀加厚。

5.根据权利要求1所述的Any Layer外层4分割曝光对位方法，其特征在于，上述S3步骤中的9个SX线路靶位呈田字点分布，一面的9个SX线路靶位均匀分布在田字的9个相交点上。

6.根据权利要求5所述的Any Layer外层4分割曝光对位方法，其特征在于，上述S3步骤中的SK镭射靶位的数量为9个，9个SK镭射靶位与9个SX线路靶位采用同样的分布方法。

7.根据权利要求6所述的Any Layer外层4分割曝光对位方法，其特征在于，所述9个SX线路靶位和9个SK镭射靶位均位于PNL的中心线上。