[发明专利]封装结构及其制作方法

说明书

一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、盖结构以及多个第一间隔物结构。半导体封装设置在线路衬底上且电连接到线路衬底。盖结构设置在线路衬底上，覆盖半导体封装，其中盖结构通过粘合材料贴合到线路衬底。所述多个第一间隔物结构环绕半导体封装，其中第一间隔物结构夹置在盖结构与线路衬底之间，且包括与盖结构接触的顶部部分及与线路衬底接触的底部部分。

技术领域

本公开实施例是有关一种封装结构及制作所述封装结构的方法。

背景技术

在各种电子应用(例如手机及其他移动电子设备)中使用的半导体装置及集成电路通常是在单个半导体晶片上制造。可以在晶片级下，对晶片的管芯进行处理并与其他半导体装置或管芯封装在一起，且已开发出用于晶片级封装(wafer level packaging)的各种技术。

发明内容

本公开实施例提供一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、盖结构以及多个第一间隔物结构。所述半导体封装设置在所述线路衬底上且电连接到所述线路衬底。所述盖结构设置在所述线路衬底上，覆盖所述半导体封装，其中所述盖结构通过粘合材料贴合到所述线路衬底。所述多个第一间隔物结构环绕所述半导体封装，其中所述第一间隔物结构夹置在所述盖结构与所述线路衬底之间，且包括与所述盖结构接触的顶部部分及与所述线路衬底接触的底部部分。

本公开实施例提供一种封装结构包括线路衬底、中介层结构、多个半导体管芯、盖结构、热界面材料、以及多个第一间隔物结构。所述中介层结构设置在所述线路衬底上且电连接到所述线路衬底。所述多个半导体管芯设置在所述中介层结构上且电连接到所述中介层结构。所述盖结构设置在所述线路衬底上，其中所述盖结构包括盖体部分及侧壁部分，所述盖体部分位于所述多个半导体管芯之上，所述侧壁部分与所述盖体部分进行接合且环绕所述多个半导体管芯及所述中介层结构，且所述侧壁部分通过粘合材料贴合到所述线路衬底。所述热界面材料设置在所述多个半导体管芯与所述盖结构的所述盖体部分之间。所述多个第一间隔物结构与所述粘合材料相邻地设置在所述线路衬底与所述盖结构的所述侧壁部分之间。

本公开实施例提供一种制作封装结构的方法。所述方法包括以下步骤。提供线路衬底。将多个第一间隔物结构放置在所述线路衬底上，其中所述多个第一间隔物结构包括顶部部分及底部部分，且所述底部部分与所述线路衬底接触。将半导体封装设置到所述线路衬底上的被所述第一间隔物结构环绕的区域内。将盖结构通过粘合材料贴合到所述线路衬底上，其中所述盖结构环绕所述半导体封装，所述多个第一间隔物结构夹置在所述盖结构与所述线路衬底之间，且所述盖结构与所述多个第一间隔物结构的所述顶部部分接触。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的临界尺寸(critical dimension)。

图1A到图1H是根据本公开的一些示例性实施例的制作半导体封装的方法中的各个阶段的示意性剖视图。

图2A到图2F是根据本公开的一些示例性实施例的制作封装结构的方法中的各个阶段的示意性剖视图及俯视图。

图3A到图3C是根据本公开的一些示例性实施例的间隔物结构的各种设计。

图4A及图4B是根据本公开的一些示例性实施例的将间隔物结构放置在线路衬底上的各种方法的示意性剖视图。

图5A及图5B是根据本公开的一些其他示例性实施例的间隔物结构的各种设计。

图6A及图6B是根据本公开的一些示例性实施例的将间隔物结构放置在线路衬底上的各种方法的示意性剖视图。

图7A到图7D是根据本公开的一些示例性实施例的制作封装结构的方法中的各个阶段的示意性剖视图及俯视图。

图8A到图8C是根据本公开的一些示例性实施例的各种封装结构的放大剖视图。